TriQuint推出支持高通(Qualcomm) 3G芯片組的較新WEDGE解決方案

全球射頻前端產品的領導廠商和晶圓代工服務的重要供應商 TriQuint 半導體公司（納斯達克：TQNT），日前宣布推出新型射頻前端解決方案，支持高通(Qualcomm)*較新發(fā)布的3G芯片組。TriQuint此次推出的解決方案包括用于WCDMA的TRITON PA Module™系列和用于GSM/EDGE的HADRON II PA Module™功放模塊TQM7M5013。該解決方案具有優(yōu)異的性能、極低的耗電量以及業(yè)內較小尺寸規(guī)格等特點，適于滿足包括數(shù)據(jù)卡、上網本、電子閱讀器和下一代智能手機在內快速發(fā)展的移動設備市場需求。

這種WEDGE成套產品結合了TriQuint公司的高度優(yōu)化的WCDMA和GSM/EDGE產品。TriQuint半導體的中國區(qū)總經理熊挺說：“我們正在建立在EDGE PAM的市場領導地位及積累我們?yōu)橹悄苁謾C，數(shù)據(jù)卡和其它移動互聯(lián)網設備（MID)等增長較快的市場提供產品的經驗。每個無線設備越來越多頻帶驅動分立WCDMA放大器市場，也代表了市場份額擴張的重要機會。TriQuint公司一直致力于優(yōu)化我們的技術，為業(yè)界領先的3G芯片組供應商提供一個高度競爭，完整的射頻前端解決方案。先期主要用戶很滿意這款產品的性能和集成的路線圖。我們預計該產品在2010年下半年將有強勁的市場采用率�！�

較新3x3mm TRITON分立放大器模塊系列涵蓋所有主要的3GPP WCDMA頻段，并且具有多模式操作的能力。TRITON產品提供了極低的耗電量和優(yōu)異的散熱性能， 這對于目前功能豐富的智能手機和無線設備是至關重要的。TriQuint公司利用其專利制造工藝－銅凸倒裝晶片(CuFlip™)和TQBiHEMT－來設計性能，尺寸，效率均優(yōu)的TRITON系列產品。CuFlip工藝具有卓越的射頻性能與設計靈活性，同時加快制造和裝配；TQBiHEMT工藝使兩個砷化鎵（GaAs）進程集成到一個單芯片，減少元件數(shù)并節(jié)省電路板空間。這些流程可以讓TriQuint公司使用單個芯片的模塊來提供一個集成特性， 而現(xiàn)今市場所有其他的解決方案需要多個芯片和/或復雜的裝配過程，TriQuint的解決方案有著無法比擬的優(yōu)勢。

TQM7M5013是一種5x5mm四波段HADRON II功放模塊，配合TRITON模塊使用可提供WEDGE中的GSM/EDGE解決方案。其采用的創(chuàng)新架構有助于提高能效，延長用戶通話時間。TQM7M5013為未來集成/多模放大器奠定了基礎。與較近發(fā)布的3G高通芯片組配合使用, 高度通用的TQM7M5013已被配置于2010年中將推出的十幾種平臺。TQM7M5013是基于前一代HADRON產品TQM7M5012的成功基礎上開發(fā)的，TQM7M5012占全球EDGE-Polar放大器市場50%1的份額。

WCMDA是增長較快的通信標準。根據(jù)高通季度區(qū)域性CDMA設備出貨量預估²，2008-2009年WCDMA的增長率為17％，根據(jù)2010年的年中指導，2009至2010年預計增長28％。

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