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東芝擴充低壓N通道MOSFET陣容

2013年07月12日09:35:35 本網(wǎng)站 我要評論(2)字號：T | T | T
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低導通電阻可減少移動設(shè)備的傳導損失

 

東芝公司（Toshiba Corporation）（TOKYO: 6502）今天宣布通過“TPN2R203NC”擴充移動設(shè)備鋰離子電池和功率管理開關(guān)專用保護電路中使用的低壓N通道MOSFET的陣容。TPN2R203NC采用第八代工藝打造，實現(xiàn)了低導通電阻，可減少設(shè)備的傳導損失。

 

 

主要特性

1.

 

采用第八代工藝打造，實現(xiàn)低導通電阻。

2.

 

采用TSON Advance封裝，具有很好的導熱性。

3.

 

高雪崩電阻。

 

 

主要規(guī)格

產(chǎn)品型號

 

封裝

 

VDSS （V）

 

RDS（ON） （mΩ）

 

 

 

VGS=10V

 

VGS=4.5V

 

 

 

標準值

 

較大值

 

標準值

 

較大值

TPN2R203NC

 

TSON Advance

 

30

 

1.8

 

2.2

 

2.8

 

3.6

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

通過以下鏈接了解該產(chǎn)品更多信息：
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/new_products/transistor/1324089_37649.html

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