IDT 低頻段 RF 混頻器通過(guò)在擁擠頻譜中為 4G LTE、3G 和 2G 系統(tǒng)減少互調(diào)失真增強(qiáng)移動(dòng)體驗(yàn)
IDT 新的零失真 450MHz/LTE/EGSM BTS 多樣混頻器涵蓋低頻段頻率范圍,
可同時(shí)改進(jìn)系統(tǒng) IM3 性能并減少功耗
擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT® 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 宣布,已新推出低頻段 RF 混頻器,該混頻器可通過(guò)在擁擠頻譜中為
IDT F1102 是一款低功耗、低失真的雙通道 400-1000 MHz RF 變頻到IF 混頻器,與標(biāo)準(zhǔn)混頻器相比,可改進(jìn) IM3 超過(guò) 15 dB,同時(shí)減少功耗超過(guò) 40%。這些性能品質(zhì)可為改進(jìn)服務(wù)品質(zhì)(QoS)實(shí)現(xiàn)更好的信噪比(SNR),同時(shí)減少散熱,從而在密集的射頻卡密封中降低散熱要求(5V 時(shí) 1.15W,高達(dá) +43 dBm IP3O)。F1102 可提供無(wú)與倫比的性能與效率,是多載波、多模式
IDT 公司副總裁兼通信部總經(jīng)理 Tom Sparkman 表示:“在發(fā)現(xiàn)我們高頻段和低頻段混頻器優(yōu)異的性能之后,客戶(hù)開(kāi)始需要這款產(chǎn)品。我們的零失真技術(shù)可幫助客戶(hù)增加射頻卡的前端增益以改進(jìn) SNR,同時(shí)在擁擠的 EGSM 和 U.S. 蜂窩頻段中減少失真。憑借我們廣泛的高性能、低功耗可變?cè)鲆娣糯笃鳎╒GA)產(chǎn)品組合,業(yè)界領(lǐng)先的計(jì)時(shí)、串行交換、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換和數(shù)據(jù)壓縮產(chǎn)品,IDT 成為通信信號(hào)鏈解決方案的一站式提供商!
F1102 與 IDT 其他混頻器產(chǎn)品系列一起,可在上電與下電模式下提供快速的建立時(shí)間和恒定的本機(jī)振蕩器(LO)輸入阻抗。這允許客戶(hù)在時(shí)分雙工(TDD)接收機(jī)插槽間關(guān)閉混頻器,從而進(jìn)一步降低功耗。此外,IDTF1102 可支持高本振或低本振注入方式,與市場(chǎng)上現(xiàn)有器件管腳相容,從而提供令人信服的升級(jí)選擇。
供貨
IDT F1102 目前正向合格客戶(hù)提供樣品,提供 6x6 毫米 36 引腳 QFN 封裝。欲了解 IDT RF 信號(hào)通道解決方案的更多信息,請(qǐng)?jiān)L問(wèn):www.idt.com/go/RF。
關(guān)于 IDT 公司
IDT 公司擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)技術(shù),并且運(yùn)用這些模擬和數(shù)字優(yōu)勢(shì)技術(shù)為廣大終端用戶(hù)提供了大量?jī)?yōu)化的、豐富的、創(chuàng)新性的系統(tǒng)級(jí)解決方案。IDT 在計(jì)時(shí)、串行交換電路和傳輸接口電路方面位于全球市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。在通信、計(jì)算和消費(fèi)芯片市場(chǎng),IDT 發(fā)揮出模擬和系統(tǒng)設(shè)計(jì)的專(zhuān)長(zhǎng),為客戶(hù)提供了各種應(yīng)用廣泛、性能優(yōu)化的混合信號(hào)解決方案。IDT 公司總部位于美國(guó)加利福尼亞州圣荷塞,在全球各地設(shè)有設(shè)計(jì)中心、生產(chǎn)基地和銷(xiāo)售機(jī)構(gòu)。IDT 股票在納斯達(dá)克全球精選股票市場(chǎng)上市,代號(hào)為“IDTI”。欲了解更多 IDT 詳情,敬請(qǐng)登陸 http://www.idt.com/china/ 或訪問(wèn) Facebook、LinkedIn、Twitter 和 YouTube。
IDT 和 IDT 標(biāo)志為 Integrated Device Technology, Inc. 的商標(biāo)或注冊(cè)商標(biāo)。所有其它品牌、產(chǎn)品名稱(chēng)和標(biāo)識(shí)為其所有者區(qū)分產(chǎn)品或服務(wù)的商標(biāo)或注冊(cè)商標(biāo)。
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