Vishay的新款長邊接頭厚膜電阻可有效提高系統(tǒng)可靠性
p.MsoNormal,li.MsoNormal,div.MsoNormalpp.SP,li.SP,div.SPdiv.Section1RCLe3系列的容差為1%和5%，TCR為100ppmK，外形尺寸為0612和1218賓夕法尼亞、MALVERN—2010年9月8日—...2010年09月08日
Vishay發(fā)布用于在線流媒體產(chǎn)品演示視頻中心的新登錄頁面
賓夕法尼亞、MALVERN—2010年8月9日—日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，在公司網(wǎng)站(http:www.vishay.com)上發(fā)布了在線流媒體產(chǎn)品演示視頻中心的新登錄頁面。視頻中心的新首...2010年08月09日
NIWeek 2010 演講人簡介——Ray Almgren
RayAlmgrenNI軟件、教育與培訓(xùn)副總裁NIRayAlmgren和來自世界各地的學(xué)生團(tuán)隊將展示通過使用圖形化系統(tǒng)設(shè)計，來解決社會上相關(guān)的工程挑戰(zhàn)的創(chuàng)新解決方案2010年08月03日
Vishay推出符合IPC/JEDEC J-STD-020標(biāo)準(zhǔn)的新款器件
新款140CRH器件具有7種外形尺寸，可在+125℃高溫下工作；150CRZ電容器具有低至0.035Ω的“Z”阻抗和高達(dá)1756mA的紋波電流賓夕法尼亞、MALVERN—2010年7月30日—日前，VishayIntertechnology,Inc.（...2010年08月03日
Vishay Siliconix推出業(yè)界面積較小、厚度較薄的N溝道芯片級功率MOSFET
Si8800EDB具有0.64mm2的超小外形和0.357mm的厚度賓夕法尼亞、MALVERN—2010年7月29日—日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)界較小和較薄的N溝道芯片級功率MOSFET--...2010年07月29日
Vishay推出新款高性能、小尺寸功率SMD LED器件系列
采用3.5mmx3.5mmx1.2mm小尺寸PLCC2Plus封裝；光通量高達(dá)30,600mlm，結(jié)至環(huán)境的熱阻低至100KW的極低結(jié)至環(huán)境熱阻，功率耗散高達(dá)738mW，從而使驅(qū)動電流高達(dá)200mA。憑借這些優(yōu)異的性能參數(shù)，再加上3.5mmx3.5mmx1.2mm...2010年07月27日
Vishay推出業(yè)內(nèi)較耐熱的薄膜貼片電阻
器件具有215℃的較高工作溫度、25ppm℃，容差低至0.05%。PHT電阻的厚度為0.5mm，具有0603、0805、1206和2010四種外形尺寸，根據(jù)系列的不同，阻值范圍為10Ω～7.6MΩ。這些電阻的功率等級從12.5mW至100mW不等。...2010年07月26日
Vishay推出新款PIN光敏二極管和NPN平面光敏三極管
器件具有緊湊的2.3mmx2.3mmx2.8mm占位，具有350nm至1120nm或470nm至1090nm的光譜帶寬，采用1.8mm的鷗翼式和倒鷗翼式封裝賓夕法尼亞、MALVERN—2010年7月22日—日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYS...2010年07月22日
Vishay推出使用壽命長達(dá)10000小時的新系列牛角式功率鋁電容器
外形尺寸從35mmx50mm至45mmx100mm，實現(xiàn)了從390μF、450V至2200μF、350V的容量電壓組合，到目前為止，通常只有采用螺栓式的電容器才能達(dá)到這種性能。095PLL-4TSI使對成本很敏感的應(yīng)用也能用上這些組合，這些應(yīng)用的...2010年07月21日
Vishay推出業(yè)界首類具有75V電壓等級的固鉭貼片電容器
9種外形尺寸的電容器具有低至0.015Ω的超低ESR，T97器件同時提供高可靠性篩選和浪涌電流測試選項賓夕法尼亞、MALVERN—2010年7月20日—日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，...2010年07月20日
Vishay Siliconix 推出三款新型500V N溝道功率MOSFET
器件采用TO-220、TO-220FULLPAK和D2PAK封裝；具有低至0.555Ω的導(dǎo)通電阻和48nC的柵極電荷賓夕法尼亞、MALVERN—2010年7月13日—日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推出三...2010年07月14日
Vishay Siliconix推出新款ThunderFET™功率MOSFET
該器件是業(yè)界首款在4.5V柵極驅(qū)動下額定導(dǎo)通電阻為8.5mΩ的80VMOSFET賓夕法尼亞、MALVERN—2010年7月9日—日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推出采用針對更高電壓器件優(yōu)...2010年07月09日
Vishay推出三款業(yè)界較佳的中距離紅外傳感器
VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推出采用3種封裝類型、具有數(shù)字和模擬輸出的系列中距離紅外傳感器---TSOP4038、TSOP58038和TSOP5038，充實了其光電產(chǎn)品組合。憑借300μs的快速響應(yīng)和0.8...2010年07月02日
Vishay擴(kuò)充用于功率電子的重載電容器
VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，擴(kuò)充其用于功率電子的重載VishayESTAHDMKP電容器，增添新容值和新封裝形式。HDMKP電容器具有從900V至2700V(dc)的6種標(biāo)準(zhǔn)電壓。其前一代產(chǎn)品的容值為...2010年06月29日
恩智浦半導(dǎo)體交付第200萬枚FlexRay收發(fā)器
恩智浦半導(dǎo)體(NXPSemiconductors)實現(xiàn)里程碑式突破，成功交付第200萬枚FlexRay收發(fā)器，時隔恩智浦FlexRay收發(fā)器出貨量突破百萬大關(guān)不足一年。作為唯一一家FlexRay物理層兼容收發(fā)器出貨量突破兩百萬的供應(yīng)商，恩智浦...2010年06月24日
Vishay更新軍品級別的模擬開關(guān)和復(fù)用器產(chǎn)品線
長期為軍工和航天客戶提供高可靠性分立和IC器件的供應(yīng)商VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，該公司旗下子公司VishaySiliconix位于加州SantaClara的工廠已經(jīng)通過了DSCC的再次認(rèn)證，所生產(chǎn)的模...2010年06月21日
Vishay推出具有超短傳播延遲的新款高速模擬光耦
VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推出兩款采用標(biāo)準(zhǔn)SOP-5封裝的高速模擬光耦---VOM452T和VOM453T。新的VOM452T和VOM453T的波特率為1MBd，采用厚度為2.0mm的低外形封裝，其封裝較DIP-8SMD...2010年06月18日
Vishay推出光通量高達(dá)2160流明的新款LED照明面板
VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推出用于道路和工業(yè)高架照明應(yīng)用的新款LED照明面板---VLSL30和VLSL31，擴(kuò)大了其光電產(chǎn)品組合。兩款開發(fā)套件為設(shè)計者提供了所需的全部材料，使他們能夠借...2010年06月17日
Vishay發(fā)布幫助客戶進(jìn)一步節(jié)約器件占位空間和系統(tǒng)成本的解決方案的視頻教程
VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，為幫助客戶了解在一個小尺寸器件內(nèi)組合封裝的高邊和低邊MOSFET如何節(jié)省DC-DC轉(zhuǎn)換器的空間和成本，該公司在其網(wǎng)站(http:www.vishay.com)上新增了一個流媒體...2010年06月17日
Vishay發(fā)布可靠性極高的高性能新系列薄膜包封式貼片電阻
VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推出通過ESCC-4001℃的TCR、容差為0.05％的此類器件。VishaySfernice電阻專門針對對性能有著嚴(yán)格要求的軍工、航天和醫(yī)療應(yīng)用等對可靠性要求極高的領(lǐng)域...2010年06月11日