Vishay Siliconix推出新款ThunderFET™功率MOSFET

該器件是業(yè)界首款在4.5V柵極驅動下額定導通電阻為8.5mΩ的80V MOSFET

賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 7 月 9 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用針對更高電壓器件優(yōu)化的新型低導通電阻技術的首款TrenchFET^®功率MOSFET --- ThunderFET™ SiR880DP。新器件是業(yè)界首款在4.5V柵極驅動下就能導通的80V功率MOSFET。新的80V SiR880DP采用熱增強型PowerPAK^® SO-8封裝，在4.5V、7.5V和10V下具有8.5mΩ、6.7mΩ和5.9mΩ的超低導通電阻。在4.5V柵極驅動下，該器件的典型導通電阻與柵極電荷的乘積為161，該數(shù)值是DC-DC轉換器應用中MOSFET的優(yōu)值系數(shù)(FOM，單位是nC-mΩ)。

SiR880DP針對通信負載點應用的隔離式DC-DC轉換器中初級側開關進行了優(yōu)化。非常低的導通電阻意味著可減少功率損耗和實現(xiàn)更綠色的解決方案，尤其是在待機模式這樣的輕負載條件下。

器件的4.5V電壓等級有助于實現(xiàn)更高頻率的設計，在POL應用中大幅降低柵極驅動損耗，并且可以使用電壓更低、成本更低的5V PWM IC。截止目前，其他80V功率MOSFET還只能在6V或更高的柵極驅動下才能導通。

SiR880DP經過了完備的Rg和UIS測試。這款采用PowerPAK SO-8封裝的MOSFET符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定，符合RoHS指令2002/95/EC。

SiR880DP現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產，大宗訂貨的供貨周期為十六周。

VISHAY簡介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1,000 強企業(yè)”，是全球分立半導體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）（二極管、整流器、MOSFET、光電器件及某些精選 IC）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器、傳感器及轉換器）的較大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。(這些元件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天及醫(yī)療市場的各種類型的電子設備)。憑借產品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業(yè)界領先者。有關Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。

TrenchFET^TM和PowerPAK^TM是Siliconix公司的注冊商標，ThunderFET是Siliconix公司的商標。

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