Vishay Siliconix 推出4款600V MOSFET，繼續(xù)擴(kuò)展Super Junction FET®技術(shù)

Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET^®技術(shù)延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。

新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)具有600V的電壓等級(jí)，在10V柵極驅(qū)動(dòng)下的較大導(dǎo)通電阻僅有0.190Ω。低RDS(on)意味著更低的導(dǎo)通損耗，從而在液晶電視、個(gè)人電腦、服務(wù)器、開關(guān)電源和通信系統(tǒng)等各種電子系統(tǒng)中減少功率因數(shù)矯正(PFC)和脈寬調(diào)制(PWM)應(yīng)用的能量損耗。

除低導(dǎo)通電阻之外，這些器件的柵電荷只有98nc。柵電荷與導(dǎo)通電阻的乘積是功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET的優(yōu)值(FOM)，這些器件的FOM可低至18.62Ω*nC。

為可靠起見，這些器件均進(jìn)行了完整的雪崩測(cè)試，具有很高的重復(fù)(E_AR)雪崩能量。新的MOSFET可處理65A的峰值電流和22A的連續(xù)電流。這四款器件均具有有效輸出容值標(biāo)準(zhǔn)。

與前一代600V功率MOSFET相比，新器件改善了跨導(dǎo)和反向恢復(fù)特性。這些MOSFET符合RoHS指令2002/95/EC。

新款Super Junction FET MOSFET現(xiàn)可提供樣品，將于2010年第一季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為八周至十周。

相關(guān)閱讀:

• ...2018/08/13 14:34·錦上添花，Mantis Vision完成對(duì)Alces 3D傳感的收購(gòu)
• ...2018/07/26 15:50·Vishay宣布拓寬SOT-227封裝電源模塊產(chǎn)品線 將有7款新器件受益
• ...2018/01/24 17:24·Vishay新款UVC發(fā)光二極管采用陶瓷/石英 基材，具有超長(zhǎng)壽命
• ...2018/01/18 14:45·Vishay新款中壓厚膜片式電阻已通過AEC-Q200認(rèn)證
• ...2017/03/20 19:45·Vishay新款I(lǐng)HLP®電感器可節(jié)省空間，滿足汽車應(yīng)用所需的高溫性能
• ...2016/11/14 17:04·Vishay新款 RGB LED通過獨(dú)立控制紅色、綠色和藍(lán)色芯片來實(shí)現(xiàn)寬色域