目前市場上的多數(shù)硅ESD保護(hù)解決方案都是面向消費級電子器件設(shè)計的，但是ESD威脅也會使汽車電子器件設(shè)計師夜不成寐。令汽車電子設(shè)計師深感憂慮的不僅是“正�！钡腅SD狀況，其他汽車特定事件也是讓人寢食難安的一個重要原因，例如電池短路(STB)情況。

在裝配、維修或消費者在車內(nèi)使用這些器件的過程中，都有可能發(fā)生汽車電池短路事件。在裝配和維修過程中，斷開或裸露的電池線有可能連接到任何接口，結(jié)果可能會損壞ESD保護(hù)器件。消費者使用過程中發(fā)生的電池短路事件的典型例子是，USB電纜掉進(jìn)車載點煙器插座，把電池線電壓帶進(jìn)接口線。汽車環(huán)境中存在12V電池網(wǎng)絡(luò)，這本身就會對車載ESD保護(hù)器件造成額外的負(fù)擔(dān)，因為這些器件需要應(yīng)對有人有意或無意用電池線短接這些接口的情況。因此，如果在ESD威脅以外，接口還要承受這種電池短路狀況，主要用于消費級電子器件的5V常規(guī)擊穿ESD器件就不合適了。

安森美半導(dǎo)體開發(fā)的車規(guī)級ESD保護(hù)器件綜合考慮了關(guān)態(tài)電壓和限流能力，可以從容應(yīng)對電池短路和接地短路(STG)事件。除這些特性外，該器件還能滿足高速ESD保護(hù)需求，比如對信號完整性至關(guān)重要的低插入損耗、高帶寬和超低電容等。

 

ESD保護(hù)器件（如SZESD7361、SZESD7462、SZESD7102和SZESD1L001）的較低擊穿電壓為16V，可以承受較低9V、較高16V電池電壓下的汽車電池短路狀況。這些器件不但能提供低鉗位ESD保護(hù)，還擁有超低電容，能在GHz頻率范圍內(nèi)運行。

NIV1161和NIV2161等器件擁有與前述器件相同的ESD保護(hù)硅芯片，同時集成了小信號MOSFET以實現(xiàn)限流功能，可為SoC提供電池短路和接地短路保護(hù)。這些集成式MOSFET具有低Rds(on)，適用于每秒吉比特高數(shù)據(jù)速率的應(yīng)用。