德州儀器（TI）近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶體管，電阻實現(xiàn)業(yè)內(nèi)較低，比傳統(tǒng)60-V負載開關(guān)低90%，同時，使終端系統(tǒng)功耗得以降低。CSD18541F5內(nèi)置于微型1.53-mm x 0.77-mm硅基封裝，其負載開關(guān)的封裝體積比SOT-23中的減小80%。如需了解更多信息與樣品，敬請訪問www.ti.com.cn/CSD18541F5-pr-cn。

CSD18541F5金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)保持典型的54-mΩ導通電阻(Rdson)，其設計與優(yōu)化的目的是取代空間受限的工業(yè)負載開關(guān)應用中的標準小信號MOSFET。這種微型連接盤網(wǎng)格陣列(LGA)封裝的焊盤間距為0.5-mm，易于安裝。請閱讀博客文章了解更多信息：“借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小您的工業(yè)元件占位面積”。

CSD18541F5是TIFemtoFET MOSFETs中NexFET™技術(shù)方案組合的新成員，擁有高電壓及生產(chǎn)友好型占位面積。請下載設計綜述，了解有關(guān)LGA封裝的詳細信息。

CSD18541F5主要特點和優(yōu)勢

• 10-V柵源 (VGS)的超低54-mΩRdson比傳統(tǒng)60-V負載開關(guān)減小90%，使功耗得以降低。

• 超小型1.53-mm x 0.77-mm x 0.35-mm LGA封裝比SOT-23封裝中的傳統(tǒng)負載開關(guān)尺寸減小80%，使印刷電路板 (PCB) 的空間得以降低。

• 生產(chǎn)友好型0.5-mm焊盤間距。

• 集成靜電放電(ESD)保護二極管可防止MOSFET柵過壓。

封裝和供貨

CSD18541F5內(nèi)置于3針LGA封裝，目前可由TI及其授權(quán)分銷商批量供貨（單位數(shù)量1,000）。請下載PSpice瞬態(tài)模型。

關(guān)于TI的NexFET功率MOSFET

TI 的NexFET功率 MOSFET提升了高功率計算、網(wǎng)絡、工業(yè)和電源應用中的能量效率。此類高頻、高效率的模擬功率 MOSFET 使得系統(tǒng)設計人員能夠運用現(xiàn)有的較先進的DC/DC電源轉(zhuǎn)換解決方案。

了解更多有關(guān)TI電源管理產(chǎn)品系列：

• 查閱TI有關(guān)FET功率MOSFET的完整產(chǎn)品系列。

• 采用TI的WEBENCH電源設計庫在線設計完整的電源管理系統(tǒng)。

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關(guān)于德州儀器 (TI)

德州儀器 (TI) 是一家全球性半導體設計制造公司，始終致力于模擬 IC 及嵌入式處理器開發(fā)。TI 擁有全球頂尖人才，銳意創(chuàng)新，塑造技術(shù)行業(yè)未來。今天，TI 正攜手超過 10 萬家客戶打造更美好未來。更多詳情，敬請查閱http://www.ti.com.cn