RRAM領(lǐng)軍者Crossbar正式進(jìn)軍中國(guó)存儲(chǔ)市場(chǎng)

日前，Crossbar在京舉辦新聞發(fā)布會(huì)，宣布正式進(jìn)軍中國(guó)市場(chǎng)，并在上海設(shè)立新的辦事處。公司首席執(zhí)行官暨聯(lián)合創(chuàng)始人George Minassian博士、戰(zhàn)略營(yíng)銷和業(yè)務(wù)發(fā)展副總裁 Sylvain Dubois和技術(shù)副總裁Sundar Narayanan博士出席發(fā)布會(huì)，與媒體共同見證了Crossbar這一時(shí)刻，并介紹了Crossbar及其RRAM技術(shù)，展望了存儲(chǔ)市場(chǎng)的美好前景。

George Minassian博士首先介紹了存儲(chǔ)市場(chǎng)的情況，中國(guó)在全球IC半導(dǎo)體制造業(yè)占約40%的份額，中國(guó)每年消費(fèi)29%的NAND（66.7億美元），22%的DRAM（12億美元）和約200億美元的內(nèi)存（NAND+DRAM）。而Crossbar的目標(biāo)市場(chǎng)規(guī)模約為600億美元，服務(wù)于全球600億美元及中國(guó)200億美元內(nèi)存市場(chǎng)。

他認(rèn)為，隨著數(shù)據(jù)爆炸式增長(zhǎng)，企業(yè)及客戶端的存儲(chǔ)需求日益增加。傳統(tǒng)基于電子的存儲(chǔ)面臨各種挑戰(zhàn)。600億美元市場(chǎng)有眾多商機(jī)。

他表示，中國(guó)是電子行業(yè)發(fā)展較快的市場(chǎng)，也是絕大多數(shù)產(chǎn)品的制造基地。憑借其在中國(guó)深厚的風(fēng)投實(shí)力和資源、新成立的本地辦事處以及行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)，他相信將在中國(guó)消費(fèi)電子、企業(yè)、移動(dòng)、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)等市場(chǎng)掀起新一輪電子創(chuàng)新浪潮。此外，Crossbar近期與中芯國(guó)際已達(dá)成合作，將其嵌入式技術(shù)用于中芯國(guó)際40nm甚至更高工藝，有望使新的應(yīng)用開發(fā)受益。

Minassian博士還說：“物聯(lián)網(wǎng)和可穿戴設(shè)備市場(chǎng)需要節(jié)能、安全和低成本的微控制器。Crossbar RRAM技術(shù)能提供片上編程和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的嵌入式內(nèi)存模塊，也可單獨(dú)作為EEPROM內(nèi)存，將是滿足這些需求的理想解決方案。”

開啟可穿戴和智能設(shè)備新紀(jì)元

據(jù)George Minassian博士介紹，Crossbar的3D交叉點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)是一種全新的方式，沒有存儲(chǔ)晶體管內(nèi)建選擇器，簡(jiǎn)單的3層金屬納米絲，具有儲(chǔ)存時(shí)間、耐久性和可靠性的優(yōu)勢(shì)。首先是高集成度，在單一芯片上集成計(jì)算和存儲(chǔ)，從40nmCMOS制造工藝做起；其次是使用壽命，與外設(shè)NVM相比，功耗低50倍；第三是用戶界面響應(yīng)，可快速喚醒、應(yīng)用轉(zhuǎn)換和媒體文件預(yù)覽。它在單一芯片上實(shí)現(xiàn)了高集成度的計(jì)算和存儲(chǔ)，促生新一代產(chǎn)品規(guī)格和使用模式。對(duì)于企業(yè)存儲(chǔ)來說，3D交叉點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)超快速，比NAND低100倍的讀取延滯；低延滯，比NAND的功耗低20倍；高密度，可擴(kuò)展至低于10nm 3D可堆疊和MLC，比NAND的成本低2倍；高可靠性，高1,000倍的耐久性，10年使用壽命，支持高溫環(huán)境（150℃）。

通過集成更大的片上非易失性阻變式存儲(chǔ)器（RRAM）到智能卡、機(jī)頂盒、IP相機(jī)和監(jiān)視器等一系列應(yīng)用，Crossbar的客戶現(xiàn)正設(shè)計(jì)并推出低功耗、高安全性的解決方案。

應(yīng)用領(lǐng)域十分廣泛

據(jù)介紹，Crossbar技術(shù)首先由中國(guó)出生的盧偉（Dr. Wei D. Lu）博士研發(fā)，他也是Crossbar的首席科學(xué)家和聯(lián)合創(chuàng)始人。盧博士擁有中國(guó)清華大學(xué)物理學(xué)士學(xué)位，以及德克薩斯州萊斯大學(xué)物理學(xué)博士學(xué)位。盧博士在RRAM領(lǐng)域積累了十二年的研究經(jīng)驗(yàn)，他先作為哈佛大學(xué)的博士后研究員，然后被任命為密歇根大學(xué)教授從事這項(xiàng)研究。他是納米結(jié)構(gòu)和設(shè)備行業(yè)的領(lǐng)先專家，包括基于雙端電阻開關(guān)設(shè)備的高密度內(nèi)存和邏輯系統(tǒng)、神經(jīng)元電路、半導(dǎo)體納米線設(shè)備和低維系統(tǒng)中的電子輸運(yùn)。

CrossbarRRAM技術(shù)被廣泛視為極有可能取代當(dāng)前非易失性內(nèi)存技術(shù)的有力競(jìng)爭(zhēng)者，從而贏得這一價(jià)值600億美元的全球市場(chǎng)。Crossbar技術(shù)可在一個(gè)200平方毫米的芯片上存儲(chǔ)數(shù)個(gè)TB的數(shù)據(jù)，能夠?qū)⒑Ａ啃畔ⅲ�例�?span lang="EN-US">250小時(shí)的高清電影，存儲(chǔ)在比郵票還小的集成電路上，并進(jìn)行回放。憑借簡(jiǎn)單的三層結(jié)構(gòu)，堆疊性和CMOS兼容性，Crossbar能在較新的技術(shù)節(jié)點(diǎn)下將邏輯和存儲(chǔ)集成到單芯片上，實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)或其他非易失性內(nèi)存技術(shù)無可比擬的存儲(chǔ)容量。Crossbar擁有大容量和快速的優(yōu)勢(shì)，并將成為下一代企業(yè)和數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)系統(tǒng)的理想選擇。

Crossbar技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域包括：消費(fèi)電子、手機(jī)、平板電腦—將你所有個(gè)人娛樂、數(shù)據(jù)、照片和信息存儲(chǔ)到口袋大小的設(shè)備中，提供快速存儲(chǔ)，回放，備份和歸檔；企業(yè)存儲(chǔ)、SSD和云計(jì)算—拓展SSD的可靠性和容量，提升企業(yè)、數(shù)據(jù)中心和云存儲(chǔ)系統(tǒng)的性能；物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)—為工業(yè)和連接應(yīng)用程序，諸如智能電表和恒溫器提供長(zhǎng)達(dá)數(shù)年的電池壽命，擁有較大溫度范圍，使其能在極端炎熱的夏天和寒冷的冬天保持穩(wěn)定，支持全新、高集成的SoC，可由紐扣電池供電或通過太陽能、熱能以及簡(jiǎn)單震動(dòng)獲取電能；可穿戴計(jì)算，支持新一代可穿戴計(jì)算，能在非常緊湊的尺寸和低功耗情況下，實(shí)現(xiàn)高容量存儲(chǔ)；安全支付，能夠永久存儲(chǔ)安全應(yīng)用所需的密碼和加密密鑰，覆蓋從大容量智能卡，到用于非接觸支付的高端移動(dòng)處理器。

此前，中芯國(guó)際已與Crossbar達(dá)成開發(fā)與制造戰(zhàn)略合作協(xié)議，基于中芯國(guó)際40納米CMOS制造工藝，提供阻變式存儲(chǔ)器組件。這將有助于客戶將低延時(shí)、高性能和低功耗嵌入式RRAM存儲(chǔ)器組件整合入MCU及SoC等器件，以應(yīng)對(duì)物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、平板電腦、消費(fèi)電子、工業(yè)及汽車電子市場(chǎng)需求。

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