針對(duì)高性能計(jì)算7納米 FinFET工藝ARM與臺(tái)積電簽訂長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作協(xié)議

2016年3月16日，北京訊——ARM和臺(tái)積電宣布簽訂針對(duì)7納米 FinFET工藝技術(shù)的長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作協(xié)議，涵蓋了未來(lái)低功耗，高性能計(jì)算SoC的設(shè)計(jì)方案。該合作協(xié)議進(jìn)一步擴(kuò)展了雙方的長(zhǎng)期合作關(guān)系，并將領(lǐng)先的工藝技術(shù)從移動(dòng)手機(jī)延伸至下一代網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)中心。此外，該協(xié)議還拓展了此前基于ARM^® Artisan^®基礎(chǔ)物理IP 的16納米和10納米 FinFET工藝技術(shù)合作。

ARM全球執(zhí)行副總裁兼產(chǎn)品事業(yè)群總裁 Pete Hutton表示：“現(xiàn)有基于ARM的平臺(tái)已展現(xiàn)提升高達(dá)10倍運(yùn)算密度的能力，用以支持特定數(shù)據(jù)中心的工作負(fù)載。未來(lái)的ARM技術(shù)將適用于數(shù)據(jù)中心和網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施，并針對(duì)臺(tái)積電7納米 FinFET進(jìn)行優(yōu)化，從而幫助我們共同的客戶(hù)將行業(yè)較低功耗的架構(gòu)應(yīng)用于不同性能要求的領(lǐng)域�！�

臺(tái)積電研究發(fā)展副總經(jīng)理侯永清表示：“臺(tái)積電不斷投資先進(jìn)的工藝技術(shù)，致力于幫助我們的客戶(hù)取得成功。憑借7納米 FinFET，我們的工藝和生態(tài)系統(tǒng)解決方案已從移動(dòng)手機(jī)拓展至高性能計(jì)算。得益于臺(tái)積電行業(yè)領(lǐng)先的7納米 FinFET工藝，客戶(hù)在設(shè)計(jì)下一代高性能計(jì)算芯片時(shí)，相比10納米 FinFET工藝節(jié)點(diǎn)，能在相同功耗獲得更好性能表現(xiàn)，或者在相同性能表現(xiàn)的情況下，實(shí)現(xiàn)更低功耗。聯(lián)合優(yōu)化的ARM和臺(tái)積電的解決方案有助于我們客戶(hù)推出顛覆性產(chǎn)品，并率先面向市場(chǎng)�！�

較新的合作協(xié)議基于ARM和臺(tái)積電此前在16納米 FinFET和10納米 FinFET工藝上取得的成功。臺(tái)積電和ARM此前合作所取得的聯(lián)合創(chuàng)新，使客戶(hù)得以從較前沿的工藝技術(shù)和IP中獲益，以加快產(chǎn)品研發(fā)周期。例如，盡早獲取Artisan物理IP、以及試產(chǎn)16納米 FinFET 和 10納米 FinFET的ARM Cortex^®-A72處理器。

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關(guān)于ARM

ARM致力于研發(fā)半導(dǎo)體知識(shí)產(chǎn)權(quán)、并已成為全球先進(jìn)數(shù)字產(chǎn)品的核心。ARM的技術(shù)驅(qū)動(dòng)了新市場(chǎng)的發(fā)展與產(chǎn)業(yè)和社會(huì)的轉(zhuǎn)型，并無(wú)形地為全球網(wǎng)絡(luò)用戶(hù)創(chuàng)造新機(jī)遇。其低功耗且可彈性配置的處理器及相關(guān)技術(shù)為任何需要計(jì)算功能的領(lǐng)域加入智能功能，應(yīng)用范圍橫跨傳感器到服務(wù)器，覆蓋智能手機(jī)、平板電腦、數(shù)字電視、企業(yè)級(jí)基礎(chǔ)架構(gòu)與物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用。

ARM創(chuàng)新技術(shù)被合作伙伴廣泛的授權(quán)采用，基于ARM架構(gòu)的芯片累積出貨量迄今已突破750億。ARM通過(guò)ARM Connected Community為開(kāi)發(fā)者、設(shè)計(jì)人員及工程師們消除了行業(yè)創(chuàng)新障礙，并為領(lǐng)先的電子企業(yè)提供快速且可靠的產(chǎn)品上市渠道。如欲加入社區(qū)討論，請(qǐng)點(diǎn)擊鏈接：http://community.arm.com

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