富士通電子將攜自有及代理產(chǎn)線亮相2016上海慕展

上海，2016年3月9日–富士通電子元器件（上海）有限公司今天宣布，將攜其FRAM鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器等自有產(chǎn)品線，以及代理產(chǎn)品線參加在中國(guó)上海舉行的“第十五屆慕尼黑上海電子展”（Electronica China 2016）。本次展會(huì)將于2016年3月15日至17日在上海新國(guó)際博覽中心拉開(kāi)帷幕。

   在本次展會(huì)上，富士通將重點(diǎn)展示其具有傳統(tǒng)優(yōu)勢(shì)的FRAM鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器全系列產(chǎn)品，車用高性能圖形處理芯片MB86R24“Triton-C”及Triton全虛擬儀表開(kāi)發(fā)套件等以及其代理的Socionext、Transphorm、Shindengen和Rubycon等公司的豐富產(chǎn)品線。屆時(shí)，陣容強(qiáng)大的工程師團(tuán)隊(duì)將進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)演示，并解答觀眾的各種問(wèn)題。歡迎參觀富士通位于E2館2318號(hào)展位。富士通展出部分的產(chǎn)品如下：

獨(dú)具優(yōu)勢(shì)的高可靠性存儲(chǔ)方案FRAM

與傳統(tǒng)存儲(chǔ)器比較，富士通FRAM具有高速讀寫(xiě)（EEPROM的40,000倍）、高讀寫(xiě)耐久性（EEPROM的1,000,000倍）和低功耗（EEPROM的1/1,000）等方面的優(yōu)勢(shì)。高速讀寫(xiě)確可保實(shí)時(shí)存儲(chǔ)，幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)者解決實(shí)時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)突然斷電數(shù)據(jù)丟失的問(wèn)題；高耐久性可以實(shí)現(xiàn)頻繁記錄操作歷史和系統(tǒng)狀態(tài)；低功耗主要讀寫(xiě)操作功耗低。這些優(yōu)勢(shì)使得FRAM越來(lái)越多地被需要高可靠性的應(yīng)用領(lǐng)域所采用，比如計(jì)量?jī)x表（三相電表以及水表、氣表等）、電力自動(dòng)化、醫(yī)療器械及醫(yī)療電子標(biāo)簽、汽車后裝設(shè)備、POS機(jī)/金融ATM機(jī)等等。此外，FRAM不僅可以作為單獨(dú)的元器件，而且還通過(guò)帶有FRAM的RFID IC進(jìn)入到醫(yī)療領(lǐng)域。例如，RFID標(biāo)簽可用于控制和鑒定醫(yī)療設(shè)備、產(chǎn)品和藥物。一些RFID標(biāo)簽制造商和系統(tǒng)制造商已經(jīng)把帶有FRAM的RFID標(biāo)簽在醫(yī)療領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)商用，在醫(yī)療設(shè)備和生物藥品上得到使用。在該領(lǐng)域，富士通FRAM更是品質(zhì)保證的象征。富士通在FRAM領(lǐng)域耕耘超過(guò)15年，自1999年開(kāi)始量產(chǎn)，控制著FRAM的整體開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)及組裝程序，加上多年的經(jīng)驗(yàn)，能始終保證FRAM產(chǎn)品的高質(zhì)量和穩(wěn)定供應(yīng)。在本次展會(huì)上富士通將介紹FRAM全系列產(chǎn)品和FRAM RFID產(chǎn)品線。

贏得客戶青睞的汽車電子應(yīng)用

代理產(chǎn)線之一的索喜科技的車用高性能圖形處理芯片MB86R24“Triton-C”采用ARM雙核Cortex A9 CPU，專門為車載儀表設(shè)計(jì)的獨(dú)立2D引擎（Iris）和3D引擎（Open GL），支持3路顯示輸出，較大分辨率達(dá)到1920*720，內(nèi)部支持6路視頻捕捉，采用eSOL操作系統(tǒng)，完整的軟硬件開(kāi)發(fā)平臺(tái)可以縮短開(kāi)發(fā)周期。在本次展會(huì)上富士通將展示以Triton-C芯片開(kāi)發(fā)的Triton全虛擬儀表開(kāi)發(fā)套件。

富士通展示的另一款汽車電子應(yīng)用是新電元（Shindengen）TW-78S DC/DC車載用轉(zhuǎn)換器。通過(guò)高效率化與銅基板模塊，該轉(zhuǎn)換器對(duì)輸出容量實(shí)現(xiàn)了超群的小型化，以及與以前封裝同等成本的模塊化。它采用可定制自產(chǎn)半導(dǎo)體，通過(guò)耐壓FET（例如420V、550V等）、防噪聲芯片達(dá)到較佳設(shè)計(jì)。由于運(yùn)用了高散熱性模塊與磁性偏壓技術(shù)，具有較大電流轉(zhuǎn)換功能，能夠應(yīng)對(duì)超出額定電流時(shí)瞬間超負(fù)荷。利用防止逆流回路，即使在輸入低電壓時(shí)或輕負(fù)載時(shí)，也可繼續(xù)同步整流作用。該轉(zhuǎn)換器已在Accord HEV上實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)。

節(jié)能減排的利器氮化鎵器件

富士通代理的Transphorm是一家設(shè)計(jì)、生產(chǎn)氮化鎵（GaN）功率轉(zhuǎn)換器和模塊的領(lǐng)導(dǎo)廠商，其產(chǎn)品應(yīng)用于電源、功率適配器、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器、太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換器以及電動(dòng)車輛等領(lǐng)域。Transphorm符合JEDEC的制程與富士通的基礎(chǔ)技術(shù)進(jìn)行整合后，使用富士通福島會(huì)津工廠的6寸CMOS制程生產(chǎn)，為硅芯片制造提供多項(xiàng)關(guān)鍵功能的提升，保證了GaN電源器件解決方案產(chǎn)品線進(jìn)入可靠的量產(chǎn)環(huán)節(jié)。Transphorm的GaN HEMT器件采用獨(dú)有結(jié)構(gòu)，除了擁有比MOSFET更快的開(kāi)關(guān)性能外，還因?yàn)楣ぷ黝l率的提高，降低了其電容和電阻的尺寸。更重要的是，在此提高頻率的同時(shí)，效率并不會(huì)受到影響。無(wú)論是正向?qū)�通的柵極電荷還是Qrr，Transphorm的GaN HEMT較其他產(chǎn)品都有明顯的優(yōu)勢(shì)。得益于其優(yōu)越的性能，Transphorm的GaN HEMT成為全球首款也是唯一獲得JEDEC認(rèn)證的600 V GaN器件。

用途廣泛的無(wú)源元件

富士通還將展示其代理的各種無(wú)源元件，如：Relay-繼電器產(chǎn)品，其特點(diǎn)為小型，精密，高可靠性，廣泛用于車載控制，工業(yè)控制，綠色能源，以及通信行業(yè)；還有品種繁多、用途廣泛的Rubycon鋁質(zhì)電解電容等。應(yīng)用行業(yè)包括醫(yī)療器械、閃光燈、電子節(jié)能燈、電子整流器、電能表、通訊產(chǎn)品、開(kāi)關(guān)電源、家用電器、光伏電源等。與同類名牌產(chǎn)品相比，Rubycon產(chǎn)品具有低阻抗、高紋波、長(zhǎng)壽命等特點(diǎn)，特別適用于可靠性、穩(wěn)定性方面都要求較高的電子線路。

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