2EDN EiceDRIVER™ MOSFET驅(qū)動(dòng)器樹立可靠性和低功耗新標(biāo)準(zhǔn)

2015年12月02日11:31:42 本網(wǎng)站我要評(píng)論(2)字號(hào)：T | T | T

關(guān)鍵字：電源可靠性

英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）近日推出適用于開關(guān)電源的PFC、LLC和同步整流級(jí)的全新2EDN7524 EiceDRIVER™驅(qū)動(dòng)器芯片。這一芯片家族是英飛凌首次利用其廣博的專業(yè)知識(shí)和領(lǐng)先的市場(chǎng)地位提供的專用MOSFET驅(qū)動(dòng)器。立足于現(xiàn)有EiceDRIVER家族進(jìn)行改進(jìn)的2EDN產(chǎn)品線，是連接控制IC與MOSFET（比如CoolMOS C7）以及GaN（氮化鎵）開關(guān)裝置的重要環(huán)節(jié)。2EDN MOSFET驅(qū)動(dòng)器芯片可實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率、卓越的功率密度以及一致的系統(tǒng)可靠性。

2EDN EiceDRIVER IC采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的8管腳封裝，擁有兩個(gè)獨(dú)立的非隔離式低邊通道，每個(gè)通道可支持5 A的峰值拉灌電流。兩個(gè)通道都能實(shí)現(xiàn)典型值5 ns的上升和下降時(shí)間，而1 ns的通道間延時(shí)匹配允許雙通道并聯(lián)使用，使總驅(qū)動(dòng)電流增加一倍。雖然電流增大，但輸出級(jí)的通態(tài)電阻（RDS(ON)）非常低，這可較大限度降低驅(qū)動(dòng)器芯片的功耗——即便使用非常小的柵極電阻、或者不用任何外部柵極電阻。驅(qū)動(dòng)器芯片能承受信號(hào)輸入和使能端高達(dá)-10 VDC的電壓，所以它能有效應(yīng)對(duì)接地反彈，提高系統(tǒng)可靠性。

供貨情況

支持4V欠壓鎖定（UVLO）、采用DSO封裝的2EDN7524 MOSFET驅(qū)動(dòng)器已開始量產(chǎn)。UVLO為8 V的產(chǎn)品以及采用TSSOP封裝、UVLO為4 V和8 V的產(chǎn)品將于2016年1月份推出。采用WSON封裝、UVLO為4 V和8 V的版本將于2016年第一季度發(fā)布。如欲了解有關(guān)2EDN7524 MOSFET驅(qū)動(dòng)器的進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)www.infineon.com/2EDN。