意法半導體（ST）推出世界首款1500V超結(jié)功率MOSFET，實現(xiàn)更環(huán)保、更安全的電源應用

中國，2015年11月9日——意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）的新系列功率MOSFET讓電源設計人員實現(xiàn)產(chǎn)品效能較大化，同時提升工作穩(wěn)健性和安全系數(shù)。MDmesh^TM K5產(chǎn)品是世界首款兼?zhèn)涑�結(jié)技術(shù)優(yōu)點與1500V漏源（drain-to-source）擊穿電壓（breakdown voltage）的晶體管，并已贏得亞洲及歐美主要客戶用于其重要設計中。

新產(chǎn)品瞄準計算機服務器及工業(yè)自動化市場。服務器要求更高的輔助開關(guān)式電源輸出功率，同時電源穩(wěn)健性是較大限度減少斷電停機時間的關(guān)鍵要素，電焊、工廠自動化等工業(yè)自動化應用也需要更大的輸出功率。這些應用的輸出功率在75W至230W之間或更高，超結(jié)MOSFET技術(shù)的出色動態(tài)開關(guān)性能使其成為工業(yè)應用的較佳選擇。

意法半導體的MDmesh K5功率MOSFET系列將此項技術(shù)提升至一個全新的水平，單位面積同態(tài)電阻（R_ds(on)）和柵電荷量（Q_g）均創(chuàng)市場較低，并擁有業(yè)界較佳的FoM（質(zhì)量因數(shù)）[1]。新產(chǎn)品是時下主流電源拓撲的理想選擇，包括標準準諧振（quasi-resonant）有源鉗位反激式轉(zhuǎn)換器以及LLC[2]半橋式轉(zhuǎn)換器，均需要寬輸入電壓、高能效（高達96%）以及輸出功率近200W的電源。

該系列先推出的兩款產(chǎn)品是STW12N150K5和STW21N150K5，其較大漏源電流分別達到7A和14A，柵電荷量僅為47nC（STW12N150K5）或通態(tài)電阻僅為0.9Ω（STW21N150K5）。兩款產(chǎn)品均已量產(chǎn)，采用TO-247封裝。

欲了解更多詳情，請瀏覽：www.st.com/mdmeshk5

關(guān)于意法半導體

意法半導體（STMicroelectronics; ST）是全球領先的半導體公司，提供創(chuàng)新先進的產(chǎn)品及解決方案，為人們帶來更智能且具有更高能效的電子產(chǎn)品，提升日常生活的便利性。意法半導體的產(chǎn)品無處不在，致力于與客戶共同努力實現(xiàn)智能駕駛、智能工廠、智能城市和智能家居，以及下一代移動和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品。意法半導體主張智能科技引領智慧生活（life.augmented）的理念。

意法半導體2014年凈收入74.0億美元，在全球各地擁有10萬客戶。詳情請瀏覽意法半導體網(wǎng)站www.st.com。

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