英飛凌推出全新可控逆導(dǎo)型IGBT芯片 可提高牽引和工業(yè)傳動等高性能設(shè)備的可靠性

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）今日發(fā)布一款采用可控逆導(dǎo)型IGBT，在同一芯片上集成了IGBT和續(xù)流二極管的6.5 kV功率模塊。新發(fā)布的這款RCDC（二極管可控逆導(dǎo)型IGBT）IGBT芯片，非常適合現(xiàn)代高速列車和高性能電力機(jī)車，以及未來的HVDC輸電系統(tǒng)和傳動裝置。較之安裝尺寸相同的前幾代模塊，采用RCDC IGBT的模塊電流密度提高了33%，散熱性能也有所增強(qiáng)。因此，它可以延長產(chǎn)品工作壽命并提高可靠性，進(jìn)而較大限度降低系統(tǒng)維護(hù)工作量。

通過推出RCDC IGBT芯片，英飛凌進(jìn)一步壯大其高性能6.5kV KE3 IGBT產(chǎn)品的系列。該芯片的電流密度之所以能夠得以提高，是因?yàn)樗�的正向和反向電流的有效硅面積都增加了，因而設(shè)計人員可以靈活提高系統(tǒng)輸出功率，而無需以加大外形尺寸為代價�；蛘撸�利用其更高功率密度的優(yōu)點(diǎn)，可以在保持功率不變的情況下減少IGBT并聯(lián)數(shù)量，從而減小系統(tǒng)尺寸、減輕產(chǎn)品重量，并降低成本。

英飛凌的RCDC IGBT，采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)尺寸IHV A高絕緣封裝，可輕松進(jìn)行替換現(xiàn)有產(chǎn)品。除有助于提高功率密度外，IGBT和二極管的單片集成還可大幅改善二極管I2T值，以及IGBT和二極管熱阻（Rth/Zth）。低熱阻確保器件在整個工作溫度范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)良好的散熱性能。更低實(shí)際結(jié)溫（Tvj）紋波，使器件有更長使用壽命，當(dāng)使用二極管柵極控制時，可讓設(shè)計人員通過權(quán)衡導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗來優(yōu)化總體效率。

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