Qorvo采用全新GaAs工藝技術(shù)提高光帶寬

較新TQPHT09 90 nm pHEMT完全適用于下一代高頻放大器

中國北京，2015年4月27日 –移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中RF解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）日前宣布推出一項全新的砷化鎵(GaAs)贗晶型高電子遷移率晶體管(pHEMT)工藝技術(shù)，與競爭對手的半導(dǎo)體工藝相比，該技術(shù)能夠提供更高的增益/帶寬和更低的功耗。Qorvo新近推出的TQPHT09是一種90 nm pHEMT工藝，能夠支持Qorvo的下一代光產(chǎn)品組合。這種新工藝具備Qorvo業(yè)界領(lǐng)先的可靠性，非常適合100G+線性應(yīng)用所需的下一代高頻高性能放大器。

TQPHT09在Qorvo位于德克薩斯州里查德遜的業(yè)界領(lǐng)先GaAs工廠制造，也是該公司久負盛譽的pHEMT工藝產(chǎn)品組合中的較新產(chǎn)品。Qorvo的TQPHT09為多種新型光調(diào)制器驅(qū)動器產(chǎn)品奠定了基礎(chǔ)，包括該公司較先進的四通道100G調(diào)制器驅(qū)動器TGA4960-SL。TGA4960-SL具有CFP2外形尺寸，適合地鐵和長距離運輸應(yīng)用，也非常適合升級面向線路卡應(yīng)用的100G線性雙通道驅(qū)動器。該產(chǎn)品經(jīng)過優(yōu)化，實現(xiàn)高性能和低功耗，提供高度的通道間隔離，采用14.0 x 8.0 x 2.6 mm SMT模塊封裝，具有業(yè)界較小的封裝尺寸。

Qorvo基礎(chǔ)設(shè)施和國防產(chǎn)品部總裁James Klein表示：“Qorvo持續(xù)投資開發(fā)業(yè)界較具競爭力的半導(dǎo)體工藝技術(shù)，打造適用于下一代產(chǎn)品的同類較佳元器件。Qorvo的新型90 nm pHEMT工藝展示了我們在提供面向高速市場應(yīng)用的元器件方面處于領(lǐng)先地位，能夠提供客戶期望的質(zhì)量、可靠性和可靠供貨源。”

若要了解有關(guān)TQPHT90工藝優(yōu)勢、TGA4960-SL和其他高性能驅(qū)動器模塊以及面向100G+應(yīng)用的TIA的更多信息，請訪問www.qorvo.com/optical。

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Qorvo簡介

Qorvo (Nasdaq: QRVO)是面向移動、基礎(chǔ)設(shè)施和航天航空/國防應(yīng)用提供核心技術(shù)與射頻解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商。由RFMD與TriQuint合并組建而成，Qorvo在全球擁有6000多名員工，致力于為實現(xiàn)全球互聯(lián)的各種應(yīng)用提供解決方案。Qorvo擁有業(yè)內(nèi)較廣泛的產(chǎn)品組合和核心技術(shù)；還有通過ISO9001、ISO 14001和ISO/TS 16949認證的世界級生產(chǎn)廠；也是面向砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)、體聲波(BAW)產(chǎn)品與服務(wù)并經(jīng)過美國國防部(DoD)認可的“可信任供應(yīng)商”(1A級)。如欲了解該行業(yè)領(lǐng)先的核心射頻解決方案，敬請訪問: www.qorvo.com。

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