IR針對工業(yè)應用推出具有超低導通電阻的75V MOSFET以擴充StrongIRFET系列

全新75V StrongIRFET功率MOSFET系列配備可提升低頻應用性能的超低導通電阻 (RDS(on)) 、極高的載流能力、軟體二極管，以及有助于提高抗噪性的3V典型閥值電壓。該系列的每款器件都完全通過業(yè)界較高雪崩電流級別的雪崩測試，能夠為要求嚴格的工業(yè)應用提供較堅固耐用的解決方案。新組件都采用穿孔式封裝。

IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“IR 的75V StrongIRFET器件系列具有超低導通電阻，而且完全通過嚴格的行業(yè)級雪崩測試，以確保產品堅固耐用。新組件提供基準性能MOSFET以供選擇，旨在為工業(yè)市場作出優(yōu)化�！�

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