東芝將改建日本四日市第2晶圓廠，以向3D NAND技術(shù)過渡

東芝公司(Toshiba Corporation, TOKYO:6502)今天宣布，該公司將拆除四日市業(yè)務(wù)部(Yokkaichi Operations)生產(chǎn)基地的2號(hào)半導(dǎo)體生產(chǎn)廠(Fab 2)，并在同一地點(diǎn)新建晶圓廠。Fab 2是該公司位于日本三重縣的NAND閃存制造廠。為共同投資新廠房，東芝還與閃迪公司(SanDisk, NASDAQ: SNDK)簽署了一份不具約束力的諒解備忘錄。新建晶圓廠的主要目的旨在提供生產(chǎn)空間，以便將現(xiàn)有的東芝和閃迪2D NAND產(chǎn)能從2016年開始向3D NAND進(jìn)行轉(zhuǎn)化。

現(xiàn)有Fab 2的拆除工作將于今年5月啟動(dòng)，而新廠將于2014年9月開始施工，并預(yù)計(jì)于2015年夏季竣工。新晶圓廠內(nèi)的無塵室將分階段進(jìn)行建設(shè)，以便與2D NAND產(chǎn)能向3D NAND轉(zhuǎn)化的時(shí)間安排相吻合。第一階段無塵室建設(shè)將按時(shí)完成，以配合2016年產(chǎn)出。產(chǎn)能轉(zhuǎn)化加速和設(shè)備投資、生產(chǎn)啟動(dòng)，以及新晶圓廠的產(chǎn)量水平方面的決策將根據(jù)市場(chǎng)趨勢(shì)作出。 

新晶圓廠將提供工藝配套設(shè)施，主要用于3D NAND存儲(chǔ)器的生產(chǎn)，并將與四日市的其他設(shè)施密切配合使用。東芝和閃迪將通過合資企業(yè)，利用其較先進(jìn)的光刻、沉積和蝕刻制造設(shè)備支持3D存儲(chǔ)器生產(chǎn)。

東芝公司企業(yè)高級(jí)副總裁、半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司總裁兼首席執(zhí)行官Yasuo Naruke表示：“我們決心開發(fā)先進(jìn)的技術(shù)彰顯出我們響應(yīng)對(duì)NAND閃存持續(xù)需求的承諾。我們相信，東芝與閃迪在四日市成立的合資企業(yè)將使我們能夠生產(chǎn)具有成本競(jìng)爭(zhēng)力的下一代存儲(chǔ)器產(chǎn)品。”

閃迪公司總裁兼首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra表示：“我們很高興能夠與東芝在這一新的晶圓廠繼續(xù)我們的長(zhǎng)期合作，這將推動(dòng)我們?cè)诖鎯?chǔ)器技術(shù)方面的領(lǐng)導(dǎo)地位跨入3D NAND領(lǐng)域�！� 

該新晶圓廠將采用減震結(jié)構(gòu)和環(huán)保設(shè)計(jì)，包括整棟建筑的LED照明。它還將配備較先進(jìn)的節(jié)能生產(chǎn)設(shè)備，從而確保提高生產(chǎn)力，同時(shí)降低功耗。高效利用廢熱將有助于降低燃料消耗和減少二氧化碳排放量，相比Fab 5可減少15％。而Fab 5是目前四日市生產(chǎn)基地中較先進(jìn)的晶圓廠。

在向3D NAND過渡期間，東芝和閃迪將通過合資企業(yè)，充分利用四日市生產(chǎn)基地資源，以較大化投資效率。展望未來，兩家公司將繼續(xù)共同開發(fā)先進(jìn)的工藝技術(shù)，并進(jìn)行投資以滿足市場(chǎng)需求。

關(guān)于東芝

東芝是一家全球領(lǐng)先的多元化制造商、解決方案提供商以及先進(jìn)電子電氣產(chǎn)品及系統(tǒng)的營(yíng)銷商。東芝集團(tuán)將創(chuàng)新和想象力帶入廣泛的業(yè)務(wù)之中，包括：LCD電視、筆記本電腦、零售解決方案和多功能一體機(jī)（MFP）在內(nèi)的數(shù)碼產(chǎn)品；半導(dǎo)體、存儲(chǔ)產(chǎn)品和材料在內(nèi)的電子器件；發(fā)電系統(tǒng)、智能社區(qū)解決方案、醫(yī)療系統(tǒng)以及扶手電梯和升降機(jī)在內(nèi)的工業(yè)及社會(huì)基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)，以及家用電器。

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