Vishay新款TrenchFET®功率MOSFET再度刷新業(yè)內(nèi)較低導通電阻記錄

器件在4.5V和2.5V下的RDS(ON)低至34mΩ和45mΩ，占位面積2mm x 2mm，采用PowerPAK® SC-70封裝

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用超小尺寸的熱增強PowerPAK® SC-70封裝的新款雙片N溝道TrenchFET®功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便攜式電子產(chǎn)品中節(jié)省空間并提高電源效率，在4.5V和2.5V柵極驅(qū)動下具有20 V(12V VGS和8V VGS)器件中較低的導通電阻，占位面積為2mm x 2mm。

今天發(fā)布的器件適用于負載和充電器開關、DC/DC轉(zhuǎn)換器，以及智能手機、平板電腦、移動計算設備、非植入便攜式醫(yī)療產(chǎn)品、帶有小型無刷直流電機的手持式消費電子產(chǎn)品中電源管理應用的H橋和電池保護。SiA936EDJ為這些應用提供了34mΩ(4.5V)、37mΩ(3.7V)和45mΩ(2.5V)的極低導通電阻，并內(nèi)建ESD保護功能。器件在2.5V下的導通電阻比較接近的8V VGS器件低11.7%，同時具有更高的(G-S)防護頻帶，比使用12V VGS的較接近器件的導通電阻低15.1%。

器件的低導通電阻使設計者可以在其電路里實現(xiàn)更低的壓降，更有效地使用電能，并延長電池壽命。雙片SiA936EDJ把兩顆MOSFET集成在一個小尺寸封裝里，簡化了設計，降低了元器件數(shù)量，節(jié)省了重要的PCB空間。MOSFET進行了100%的Rg測試，符合JEDEC JS709A的無鹵素規(guī)定，符合RoHS指令2011/65/EU。

SiA936EDJ現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。

VISHAY簡介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1000 強企業(yè)”，是全球分立半導體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的較大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業(yè)界領先者。有關Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。

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