適用于超高速率LTE和3G的兩顆射頻芯片

英飛凌科技股份公司（法蘭克福/紐約交易所股票交易代碼：IFX）在其位于德國慕尼黑Neubiberg的總部宣布，其研發(fā)的第二代用于LTE（Long-Term-Evolution）設備的射頻發(fā)射器件SMARTi LU已可以向客戶提供樣片。SMARTi LU作為一顆采用65nm技術CMOS工藝的單芯片射頻發(fā)射器件，能夠全面滿足2G/3G/LTE各項射頻功能，其配置的DigRF數(shù)字接口能夠與基帶芯片直接連接，以充分達到LTE網(wǎng)絡所要求的較高150兆比特每秒的網(wǎng)絡傳輸速率。

與此同時，英飛凌在其久負盛名的3G射頻發(fā)射芯片系列——SMARTi UE中推出了第三代新產(chǎn)品：SMARTi UEmicro。SMARTi UEmicro為超低端3G終端進行了專門的產(chǎn)品優(yōu)化，采用該器件后，雙波段WCAMA/EDGE終端設備的電子射頻器件成本可以降低到6.50美元之下。這與目前市場上現(xiàn)有方案相比，成本上有超過40%的下降。

英飛凌無線通訊事業(yè)部副總裁兼射頻終端業(yè)務部總經(jīng)理Stefan Wolff先生進一步指出：“通過全球首顆單芯片2G/3G/LTE射頻發(fā)射器件SMARTi LU的開發(fā)成功，英飛凌再次向世人展示了我們在高性能、多模式射頻發(fā)射器件解決方案領域中所占據(jù)的領導地位。英飛凌不僅在LTE射頻領域持續(xù)保持著技術創(chuàng)新領導者的地位。同時，英飛凌也致力于通過不斷減少外圍元器件數(shù)量和系統(tǒng)成本的降低，以充分滿足廣大人民群眾對超低端3G手機的需求。而這次推出的SMARTiUEmicro正是順應這一方向開發(fā)出的產(chǎn)品，必將為新興市場全面鋪開3G商用化網(wǎng)絡提供強有力的支持�！�

SMARTi™ LU

SMARTi LU是一顆符合3GPP Rel.7和Rel.8規(guī)范、高集成、支持2G/3G/LTE多模式的射頻發(fā)射器件。這顆芯片在支持四波段GSM/EDGE的同時，還可以同時支持六個3G和LTE波段。在該芯片豐富的功能列表中，包括LTE FDD class 5（下行速率較大可達150兆比特每秒，上行速率較大可達50兆比特每秒）、MIMO Rx diversity（兩個下行 + 一個上行）、HSPA+、HSPA、WCDMA和 GSM/GPRS/EDGE。該芯片如此廣泛的射頻波段支持能力，使其能夠極好地與全球HSPA/LTE網(wǎng)絡無縫配合。SMARTi LU所采用的符合MIPI DigRF v4標準的數(shù)字基帶芯片接口，為手機系統(tǒng)設計“全數(shù)字化”樹立了一個新的里程碑，使得基帶芯片設計向進一步集成化、向32nm或更精密半導體技術前進提供了保障。SMARTi LU基于全球主要半導體生產(chǎn)廠商共同遵循的65nm生產(chǎn)工藝，樣片和性能測試報告計劃在今年巴塞羅那全球無線大會上全面展示。

SMARTi™ UEmicro

SMARTi UEmicro是為配合低端3G手機需求設計的一顆CMOS工藝、單芯片、同時支持2G/3G網(wǎng)絡的射頻發(fā)射器件。該芯片是英飛凌已被市場廣泛驗證的射頻發(fā)射器件SMARTi UE的低成本后續(xù)產(chǎn)品。通過遵循DigRF v3.09基帶芯片通訊接口，該器件在軟件和硬件上都達到了先后兼容性。通過減少外接低噪聲放大器（LNAs）和采用無接受濾波器的帶內(nèi)射頻前端等技術創(chuàng)新，SMARTi UEmicro成為廣大超低端3G手機的首選射頻器件。SMARTi UEmicro以其無比優(yōu)異的射頻性能，在支持雙波段或四波段GSM/EDGE和較多三個WCDMA波段時，達到了系統(tǒng)成本較優(yōu)化。從2009年二季度開始，客戶即可從英飛凌獲得SMARTi UEmicro的樣片。預計在2009年底，采用該芯片的客戶將開始大規(guī)模批量生產(chǎn)�！�

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