Vishay Siliconix采用P溝道TrenchFET® Gen III技術(shù)的12V和30V MOSFET具有業(yè)界較低導(dǎo)通電阻
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出新款采用熱增強(qiáng)型2mm x 2mm PowerPAK® SC-70封裝的單路12V器件--- SiA447DJ,以及采用3mm x 1.8mm PowerPAK ChipFET封裝、高度0.8mm的單片30V器件---Si5429DU,擴(kuò)充其TrenchFET® Gen III系列P溝道功率MOSFET。兩款MOSFET具有小占位的特點(diǎn),在4.5V下具有相應(yīng)外形尺寸產(chǎn)品中較低的導(dǎo)通電阻。
12V SiA447DJ采用超小尺寸的PowerPAK SC-70封裝,在4.5V下的導(dǎo)通電阻為13.5mΩ,比較接近的同檔器件低12%,在2.5V、1.8V和1.5V下的導(dǎo)通電阻為19.4mΩ、35mΩ和71mΩ。30V Si5429DU是首款采用3mm x 1.8mm尺寸規(guī)格的Gen III P通道MOSFET,在4.5V下的導(dǎo)通電阻為22mΩ,比較接近的競爭器件低35%,在10V下具有業(yè)內(nèi)較低的15mΩ導(dǎo)通電阻。
SiA447DJ和Si5429DU可以在智能手機(jī)、平板電腦和移動(dòng)計(jì)算設(shè)備等便攜式電子產(chǎn)品的電源管理應(yīng)用中用做電池管理或負(fù)載開關(guān)。MOSFET的小尺寸封裝可在這些產(chǎn)品中節(jié)約PCB空間,其低導(dǎo)通電阻能夠減少導(dǎo)通損耗,進(jìn)而減少功耗并延長兩次充電間的電池壽命。MOSFET的低導(dǎo)通電阻還意味著負(fù)載開關(guān)上的電壓降更低,可防止有害的欠壓鎖定現(xiàn)象。
Si5429DU的電壓等級(jí)達(dá)到30V,可用于采用多芯鋰離子電池的終端產(chǎn)品,SiA447DJ可用在尺寸和更低導(dǎo)通電阻是關(guān)鍵考慮因素的場合。另外,SiA447DJ能夠在1.5V下導(dǎo)通,可與手持設(shè)備中常見的更低電壓的柵極驅(qū)動(dòng)和更低的總線電壓配合工作,節(jié)省電平轉(zhuǎn)換電路的空間和尺寸。
SiA447DJ和Si5429DU進(jìn)行了100%的Rg測試,符合RoHS,無鹵素。如果需要更多信息,以便為您的應(yīng)用選擇合適的TrenchFET Gen III P溝道MOSFET,請(qǐng)?jiān)L問http://www.vishay.com/mosfets/geniii-p/。
新的SiA447DJ和Si5429DU TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品,并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。
VISHAY簡介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財(cái)富1,000 強(qiáng)企業(yè)”,是全球分立半導(dǎo)體(二極管、MOSFET和紅外光電器件)和無源電子元件(電阻器、電感器、電容器)的較大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略,以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細(xì)信息,敬請(qǐng)瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。
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