慕尼黑上海電子展系列報(bào)道：Microsemi演繹高可靠性設(shè)計(jì)

Microsemi在2012年慕尼黑上海電子展上重點(diǎn)展示了新型半導(dǎo)體解決方案。公司營(yíng)銷與業(yè)務(wù)發(fā)展總監(jiān)Glenn M. Wright告訴記者，Microsemi是發(fā)展重點(diǎn)是可靠性設(shè)計(jì)，一切都以此為目標(biāo)，致力于提供實(shí)現(xiàn)功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先解決方案。他重點(diǎn)介紹了公司的功率產(chǎn)品組合，包括功率半導(dǎo)體、功率模塊和RF功率MOSFET，以及可靠性的強(qiáng)化篩選塑料封裝器件系列，如瞬態(tài)電壓抑制器、MOSFET、IGBT和整流器。

公司產(chǎn)品營(yíng)銷總監(jiān)Mauricio Peres為記者介紹了Microsemi重點(diǎn)展示的產(chǎn)品和解決方案系列，包括：ZL70250超低功率射頻（RF）收發(fā)器，支持無(wú)線遙測(cè)技術(shù)，能夠滿足先前難以實(shí)施的低功率應(yīng)用要求；用于太陽(yáng)能/光伏逆變器的功率轉(zhuǎn)換技術(shù)；Microsemi新型單芯片多軸馬達(dá)控制套件演示，套件允許設(shè)計(jì)人員降低產(chǎn)品開發(fā)成本并實(shí)現(xiàn)快速上市，該解決方案包括Microsemi的SmartFusion™評(píng)測(cè)工具套件和TRINAMIC的馬達(dá)控制子板套件；無(wú)凸緣VRF MOSFET和新型1200V IGBT系列；高可靠性瞬態(tài)電壓抑制（TVS）產(chǎn)品。

Microsemi還參加了國(guó)際電力電子創(chuàng)新論壇，討論“功率轉(zhuǎn)換的技術(shù)進(jìn)步推動(dòng)光伏系統(tǒng)達(dá)到更高效率”，演講重點(diǎn)介紹市電同價(jià)的趨勢(shì)如何推動(dòng)對(duì)半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展需求。

展示全新解決方案

公司展示了較新技術(shù)創(chuàng)新和新產(chǎn)品，廣泛用于便攜式設(shè)備、低功耗短距離無(wú)線設(shè)備、照明、顯示器和汽車等。較新推出的產(chǎn)品有雙馬達(dá)控制套件這套解決方案包括Microsemi的SmartFusion™ 評(píng)估套件和TRINAMIC的馬達(dá)控制子板（daughter board）套件。Microsemi獲獎(jiǎng)的SmartFusion可定制化系統(tǒng)單芯片（cSoC）結(jié)合了三個(gè)成功編譯復(fù)雜馬達(dá)控制算法的重要特性：嵌入式微控制器、可編程模擬模塊和現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列（FPGA）。這樣的整合方式可提供一個(gè)理想平臺(tái)，以分隔軟件和硬件架構(gòu)需求。SmartFusion的嵌入式ARM Cortex™-M3微控制器可作為系統(tǒng)層任務(wù)管理、算法執(zhí)行和系統(tǒng)連接性之用。板上可編程模擬模塊提供電壓、電流和溫度監(jiān)控的完整感知與控制功能。閃存式FPGA邏輯用來(lái)執(zhí)行硬件加速與數(shù)學(xué)協(xié)同處理。此外，運(yùn)算/周期密集的算法程序可在FPGA內(nèi)由硬件實(shí)現(xiàn)，能夠非�？焖佟⒂行У貓�(zhí)行。

Microsemi開發(fā)的下一代高電壓、高功率射頻器件為開發(fā)者提供強(qiáng)力技術(shù)支持。這些系統(tǒng)以公司獨(dú)有的數(shù)字射頻系列混合模塊為基礎(chǔ)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體加工、LCD玻璃涂層、太陽(yáng)能電池生產(chǎn)、光學(xué)器件及建筑玻璃涂層、有害氣體處理、CO2激光激發(fā)、MRI RF放大器、RF手術(shù)刀和感應(yīng)加熱等系統(tǒng)中。這些模塊將RF驅(qū)動(dòng)IC和功率MOSFET集成在單一高性能封裝中，能夠以高達(dá)40 MHz的頻率發(fā)送1-3kW功率。設(shè)計(jì)指南還為系統(tǒng)開發(fā)人員提供了包括元器件選擇、匹配網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)、優(yōu)化輸出功率、效率較大化、散熱設(shè)計(jì)等各種RF設(shè)計(jì)技巧，并針對(duì)構(gòu)建完整的RF發(fā)生器所需的電路拓?fù)涮峁┚唧w建議。

用于磁性環(huán)境的全新電壓抑制解決方案提供了專為核磁共振成像設(shè)備而設(shè)計(jì)的不含鐵TVS陣列。新產(chǎn)品專為核磁共振成像（MRI）設(shè)備而設(shè)計(jì)，能夠防止靜電放電、電快速瞬變和二次雷擊效應(yīng)引起的電路損壞。Microsemi現(xiàn)可提供USBQNM504xx和USBQNM504xxC TVS陣列，這些產(chǎn)品均符合要求，并獲得一家主要的醫(yī)療設(shè)備制造商使用。這些高性能TVS陣列在封裝中使用非鐵性材料，因而適用于在強(qiáng)力磁性環(huán)境中運(yùn)作的MRI設(shè)備和其它醫(yī)療設(shè)備。這一特性能夠提供額外保護(hù)，防止有害電壓尖刺損壞敏感的醫(yī)療設(shè)備中的數(shù)據(jù)并得出不準(zhǔn)確的結(jié)果，對(duì)病患健康帶來(lái)不良的影響。

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