Vishay Siliconix TrenchFET®功率MOSFET榮獲《電子技術(shù)應(yīng)用》雜志“中國(guó)優(yōu)秀電子產(chǎn)品”獎(jiǎng)

Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，其Vishay Siliconix SiR662DP TrenchFET^® 榮獲專(zhuān)業(yè)媒體《電子技術(shù)應(yīng)用》(AET)的“中國(guó)優(yōu)秀電子產(chǎn)品”獎(jiǎng)。

在采用SO-8或PowerPAK^® SO-8封裝的60V器件中，SiR662DP 60V N溝道功率MOSFET具有業(yè)內(nèi)較低的導(dǎo)通電阻，以及60V器件中較低的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積優(yōu)值系數(shù)(FOM)。對(duì)于設(shè)計(jì)者，更低的MOSFET導(dǎo)通電阻使得傳導(dǎo)損耗更低，可減少功耗，尤其是在重負(fù)載條件下。低FOM減少了高頻和開(kāi)關(guān)應(yīng)用中的開(kāi)關(guān)損耗，特別是在輕負(fù)載和待機(jī)模式下。器件的高效率使設(shè)計(jì)者能夠提高系統(tǒng)的功率密度，或同時(shí)在更綠色的設(shè)計(jì)方案中實(shí)現(xiàn)更低的能源損耗。

在兩個(gè)月的時(shí)間內(nèi)，用戶(hù)通過(guò)在www.ChinaAET.com投票的方式選出了中國(guó)優(yōu)秀電子產(chǎn)品獎(jiǎng)的獲獎(jiǎng)?wù)摺?/span>118款提名產(chǎn)品中有31款獲獎(jiǎng)，SiR662DP榮獲分立元器件類(lèi)的獎(jiǎng)項(xiàng)。

《電子技術(shù)應(yīng)用》創(chuàng)刊于1975年，內(nèi)容覆蓋中國(guó)的電子、通信、工業(yè)控制和計(jì)算機(jī)行業(yè)。這是該雜志第三年評(píng)選中國(guó)優(yōu)秀電子產(chǎn)品獎(jiǎng)。

VISHAY簡(jiǎn)介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財(cái)富1,000 強(qiáng)企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無(wú)源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的較大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車(chē)、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場(chǎng)中幾乎所有類(lèi)型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購(gòu)戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細(xì)信息，敬請(qǐng)瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。

TrenchFET^®和PowerPAK^®是Vishay Siliconix公司的注冊(cè)商標(biāo)。

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