Xilinx FPGA的功耗優(yōu)化設(shè)計(jì)
對(duì)于FPGA來(lái)說(shuō),設(shè)計(jì)人員可以充分利用其可編程能力以及相關(guān)的工具來(lái)準(zhǔn)確估算功耗,然后再通過(guò)優(yōu)化技術(shù)來(lái)使FPGA設(shè)計(jì)以及相應(yīng)的PCB板在功率方面效率更高。
靜態(tài)和動(dòng)態(tài)功耗及其變化
在90nm工藝時(shí),電流泄漏問(wèn)題對(duì)ASIC和FPGA都變得相當(dāng)嚴(yán)重。在65nm工藝下,這一問(wèn)題更具挑戰(zhàn)性。為獲得更高的晶體管性能,必須降低閾值電壓,但同時(shí)也加大了電流泄漏。Xilinx公司在降低電流泄漏方面做了許多努力,盡管如此,源于泄漏的靜態(tài)功耗在較差和典型工藝條件下的變化仍然有2:1。泄漏功耗受內(nèi)核電壓(VCCINT)的影響很大,大約與其立方成比例,哪怕VCCINT僅上升5%,靜態(tài)功耗就會(huì)提高約15%。較后,泄漏電流還與結(jié)(或芯片)溫密切相關(guān)。
FPGA中靜態(tài)功耗的其它來(lái)源是工作電路的直流電流,但在很大程度上,這部分電流隨工藝和溫度的變化不大。例如I/O電源(如HSTL、SSTL和LVDS等I/O標(biāo)準(zhǔn)的端接電壓)以及LVDS等電流驅(qū)動(dòng)型I/O的直流電流。有些FPGA模擬模塊也帶來(lái)靜態(tài)功耗,但同樣與工藝和溫度的關(guān)系不大。例如,Xilinx FPGA中用來(lái)控制時(shí)鐘的數(shù)字時(shí)鐘管理器(DCM);Xilinx Virtex-5 FPGA中的鎖相環(huán)(PLL);以及Xilinx FPGA中用于輸入和輸出信息可編程延遲的單元IODELAY。
動(dòng)態(tài)功耗是指FPGA內(nèi)核或I/O的開(kāi)關(guān)活動(dòng)引起的功耗。為計(jì)算動(dòng)態(tài)功耗,必須知道開(kāi)關(guān)晶體管和連線(xiàn)的數(shù)量、電容和開(kāi)關(guān)頻率。FPGA中,晶體管在金屬連線(xiàn)間實(shí)現(xiàn)邏輯和可編程互連。電容則包括晶體管寄生電容和金屬互連線(xiàn)電容。
動(dòng)態(tài)功率的公式:PDYNAMIC=nCV2f,其中,n=開(kāi)關(guān)結(jié)點(diǎn)的數(shù)量,C=電容,V=電壓擺幅,f=開(kāi)關(guān)頻率。
更緊湊的邏輯封裝(通過(guò)內(nèi)部FPGA架構(gòu)改變)可以減少開(kāi)關(guān)晶體管的數(shù)量。采用更小尺寸的晶體管可以縮短晶體管之間的連線(xiàn)長(zhǎng)度,從而降低動(dòng)態(tài)功率。因此,Virtex-5 FPGA中的65nm晶體管柵極電容更小、互連線(xiàn)長(zhǎng)度也更短。兩者結(jié)合起來(lái)可將結(jié)點(diǎn)的電容減小約15%至20%,這可進(jìn)一步降低動(dòng)態(tài)功率。
電壓對(duì)于動(dòng)態(tài)功率也有影響。從90nm轉(zhuǎn)向65nm工藝,僅僅通過(guò)將VCCINT從1.2V降至1V,Virtex-5 FPGA設(shè)計(jì)的動(dòng)態(tài)功率就降低了約30%。再加上結(jié)構(gòu)增強(qiáng)帶來(lái)的功率降低,總的動(dòng)態(tài)功耗比90nm技術(shù)時(shí)降低達(dá)40%至50%。
(注:動(dòng)態(tài)功率與VCCINT的平方成正比,但對(duì)于FPGA內(nèi)核來(lái)說(shuō)基本上與溫度和工藝無(wú)關(guān)。)
利用FPGA設(shè)計(jì)技術(shù)降低功耗
Xilinx公司提供了兩款功率分析工具。XPower Estimator (XPE)電子數(shù)據(jù)表工具可在設(shè)計(jì)人員使用物理實(shí)施工具前使用。在設(shè)計(jì)物理實(shí)施完成后,則可以采用第二款工具XPower Analyzer來(lái)檢查所做的改變對(duì)功耗的影響。
降低功耗的一種方法就是為設(shè)計(jì)選擇較適用的FPGA,然后利用其可編程能力進(jìn)一步優(yōu)化設(shè)計(jì)的功耗。正確的設(shè)計(jì)選擇會(huì)同時(shí)改善靜態(tài)和動(dòng)態(tài)功耗。
源于泄漏電流的靜態(tài)功率正比于邏輯資源的數(shù)量,也就是說(shuō)正比于構(gòu)造特定FPGA所使用的晶體管數(shù)量。因此,如果減少所使用的FPGA資源,采用更小的器件實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì),那么就可以降低靜態(tài)功耗。
可以采用多種方法來(lái)降低設(shè)計(jì)的規(guī)模,較基本的一種技巧就是邏輯功能分時(shí)。也就是說(shuō),如果兩組電路完成一組線(xiàn)性功能,并且彼此完全相同,那么就可以只用一組電路但將速率提高一倍來(lái)完成同樣的功能。這樣需要的邏輯資源就減少了一半。
另一種縮小邏輯規(guī)模的方法是利用Xilinx FPGA的部分重配置功能,當(dāng)兩部分電路不同時(shí)工作時(shí),可以在某個(gè)時(shí)間段將某部分電路重新配置實(shí)現(xiàn)另一種電路功能。
同時(shí),還可以將功能移動(dòng)到不太受限制的資源,例如,將狀態(tài)機(jī)轉(zhuǎn)移到BRAM、或者將計(jì)數(shù)器轉(zhuǎn)移到DSP48模塊、寄存器轉(zhuǎn)移到移位寄存器邏輯,以及將BRAM轉(zhuǎn)移到查找表RAM(LUTRAM)。同時(shí)還可以保證不要讓設(shè)計(jì)的時(shí)序太緊張,因?yàn)槟菢訒?huì)需要更多的邏輯和寄存器。
此外,還應(yīng)當(dāng)充分發(fā)揮FPGA架構(gòu)中集成的硬IP塊(BRAM、DSP、FIFO、Ethernet MAC、PCI Express)的優(yōu)點(diǎn)。
降低靜態(tài)功率的另一個(gè)方法是仔細(xì)審查設(shè)計(jì),避免冗余的直流消耗源。設(shè)計(jì)中經(jīng)常會(huì)使用到具有多余或隱藏DCM或PLL的模塊,這種情況可能在模塊設(shè)計(jì)后忘記將多余的資源去除,或者在構(gòu)建下一代產(chǎn)品時(shí)使用了一些遺留代碼。將DCM或PLL抽象到設(shè)計(jì)的頂層,這樣模塊之間就可以共享資源,從而可進(jìn)一步減小設(shè)計(jì)的規(guī)模并降低直流功率。
更好地使用存儲(chǔ)器模塊也可幫助降低FPGA設(shè)計(jì)的動(dòng)態(tài)功耗,從而進(jìn)一步降低總體功耗。由于動(dòng)態(tài)功耗是容抗(面積或長(zhǎng)度)和頻率的函數(shù),因此應(yīng)當(dāng)檢查設(shè)計(jì)中訪(fǎng)問(wèn)塊存儲(chǔ)器的方式并確定能夠?qū)θ菘购皖l率進(jìn)行優(yōu)化的區(qū)域。
Xilinx FPGA提供兩種類(lèi)型的存儲(chǔ)器陣列。18Kbit或36Kbit的BRAM是針對(duì)大存儲(chǔ)器模塊而優(yōu)化的。LUTRAM基于FPGA中的查找表,是針對(duì)細(xì)粒度存儲(chǔ)而優(yōu)化的。Xilinx Virtex-5 FPGA中,LUTRAM的單位是64bit。
在這兩種類(lèi)型中,BRAM通常功耗要大一些。啟用后的BRAM靜態(tài)功率是其功耗的較大部分,跳變帶來(lái)的功耗居于第二位。設(shè)計(jì)人員可以采取一些步驟來(lái)優(yōu)化BRAM的功耗。例如,可以?xún)H在讀或?qū)懼芷诓艈⒂肂RAM。對(duì)于較小的存儲(chǔ)器模塊可以使用LUTRAM來(lái)代替BRAM,將BRAM留給較大的存儲(chǔ)器模塊使用。此外,還可以嘗試將BRAM用于多個(gè)大型模塊。另一種技術(shù)是合理安排存儲(chǔ)器陣列來(lái)減少其占用的延遲面積、使性能較大化并盡量降低其功耗。圖1左側(cè)給出了一個(gè)針對(duì)速度和面積而優(yōu)化的2K x 36bit存儲(chǔ)陣列。
我們利用四個(gè)2K x 9bit模塊并行構(gòu)成這一存儲(chǔ)陣列,并在需要新值時(shí)啟用(Enable)所有四個(gè)模塊。另一方法是采用四個(gè)512 x 36bit模塊來(lái)安排2K x 36bit,但利用低兩位地址解碼來(lái)選擇訪(fǎng)問(wèn)哪個(gè)512 x 36bit模塊。在后一種情況下,某個(gè)時(shí)間僅訪(fǎng)問(wèn)一個(gè)存儲(chǔ)器塊,功耗將比第一種方法降低75%。
圖1右側(cè)顯示的是Xilinx公司的塊存儲(chǔ)器生成器(Block Memory Generator),利用它可以生成任意大小的存儲(chǔ)器陣列并可以針對(duì)速度或功率對(duì)其進(jìn)行優(yōu)化。圖2則給出了具體應(yīng)用中的Xilinx Power Estimator,比較了在給定的使能速率下N個(gè)模塊同時(shí)啟動(dòng)與N/4模塊啟動(dòng)時(shí)的功耗情況。結(jié)果顯示動(dòng)態(tài)功率降低了75%。
圖1 速度和面積與功率優(yōu)化存儲(chǔ)器陣列(左)
以及Xilinx Block Memory Generator與功率面積選擇(右)
Xilinx工具可幫助選擇適合的存儲(chǔ)器陣列?紤]某個(gè)設(shè)計(jì)中需要兩組存儲(chǔ)器區(qū)域。一種情況下需要運(yùn)行在300MHz的16組64 x 32bit存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)(總位數(shù)為32K),另一種情況下需要16組512 x 36bit 存儲(chǔ)器架構(gòu) (總位數(shù)為294K)。
看一下16組64 x 32bit存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的功率比較,XPE工具顯示出小存儲(chǔ)器陣列較好用LUTRAM來(lái)實(shí)現(xiàn),這樣比用BRAM節(jié)約85%的功耗(如圖3)。這是因?yàn)槿绻捎肂RAM的話(huà),只能用16個(gè)18K位的模塊來(lái)實(shí)現(xiàn)16個(gè)極小(64 x 32bit)的存儲(chǔ)器,有很多空間被浪費(fèi)了。而第二種情況16組18K位陣列的功率比較,XPE顯示情況正好相反,應(yīng)當(dāng)采用大一些的存儲(chǔ)器陣列來(lái)實(shí)現(xiàn)(圖4)。這種情況下,采用BRAM比采用LUTRAM可以節(jié)約28%的功耗,這是因?yàn)槿绻捎肔UTRAM就需要啟用更多的小粒度對(duì)象并增加更多的互連。
Xilinx FPGA的時(shí)鐘門(mén)控功能
Xilinx FPGA的時(shí)鐘門(mén)控功能提供了一些非常有意思的用途。例如,可以利用BUFGMUX時(shí)鐘緩沖器將FPGA內(nèi)的某個(gè)全局時(shí)鐘關(guān)閉,或者動(dòng)態(tài)選擇較慢的時(shí)鐘。還可以使用BUFGCE時(shí)鐘緩沖器進(jìn)行按時(shí)鐘周期(cycle-by-cycle)的門(mén)控,與ASIC設(shè)計(jì)中使用的時(shí)鐘門(mén)控技術(shù)類(lèi)似。設(shè)計(jì)中可以同時(shí)使用這兩種功能。
在某些設(shè)計(jì)中,一些模塊并非始終使用,但對(duì)于功耗影響卻很大,此時(shí)這些方法非常有用。可以時(shí)鐘周期為基礎(chǔ)或者按多個(gè)時(shí)鐘周期的組合開(kāi)啟或關(guān)閉可能有成千上萬(wàn)個(gè)負(fù)載的大型時(shí)鐘域。
圖2 XPE功率優(yōu)化陣列結(jié)果
圖3 利用塊RAM 或 LUTRAM實(shí)現(xiàn)小存儲(chǔ)器陣列的功率估算
圖4 利用LUTRAM和塊RAM實(shí)現(xiàn)大存儲(chǔ)器陣列的功率估算
在電路板一級(jí)降低功耗
PCB設(shè)計(jì)師、機(jī)械工程師和系統(tǒng)架構(gòu)師在電路板一級(jí)可以考慮通過(guò)幾個(gè)方面來(lái)降低FPGA的功耗,F(xiàn)PGA的內(nèi)核電壓和結(jié)溫對(duì)于功耗的不同方面都有很強(qiáng)的影響。
控制VCCINT內(nèi)核電壓是板級(jí)降低功耗的一種方法。源于泄漏的靜態(tài)功耗以及動(dòng)態(tài)功耗都高度依賴(lài)于FPGA的內(nèi)核電壓。因此,減少泄漏的一種方法就是將內(nèi)核電壓設(shè)置在接近額定值(1V)的地方,而不是工作在Virtex-5電壓范圍的高端(1.05V = +5%)。
采用現(xiàn)代開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器,可以獲得±1.5%的電壓穩(wěn)定度,而不是標(biāo)準(zhǔn)的±5%規(guī)格。保持內(nèi)核電壓在1V(而不是較大值1.05V),可將泄漏導(dǎo)致的靜態(tài)功耗降低15%,同時(shí)動(dòng)態(tài)功耗降低10%。
降低FPGA結(jié)溫的一種簡(jiǎn)單明顯的方法是利用散熱更好的PCB或散熱器。然后,F(xiàn)PGA設(shè)計(jì)人員只要能夠降低功耗的改變都是值得鼓勵(lì)的。在結(jié)溫100℃左右時(shí),15℃的溫度降低可以將源于泄漏導(dǎo)致的靜態(tài)功耗降低20%。
通過(guò)監(jiān)控FPGA中的溫度和電壓也可以降低功耗。Virtex-5 FPGA中包含了一個(gè)稱(chēng)為System Monitor的模擬模塊,可以監(jiān)控外部和內(nèi)部模擬電壓以及芯片內(nèi)部溫度。System Monitor基于一個(gè)10位的A/D變換器,能夠在-40℃至+125℃范圍內(nèi)提供準(zhǔn)確可靠的測(cè)量結(jié)果。A/D變換器將片上傳感器的輸出數(shù)字化,可以利用它來(lái)監(jiān)控多達(dá)17路外部模擬輸入,從而監(jiān)控系統(tǒng)性能與外部環(huán)境。模塊內(nèi)包括了可配置的閾值和告警電平,并且可以在可配置的寄存器內(nèi)存儲(chǔ)測(cè)量結(jié)果,因此可方便地接口到用戶(hù)邏輯或微處理器。
此外,I/O功率成為在功耗和性能平衡過(guò)程中需要考慮的另一重要因素,通過(guò)更為優(yōu)化的I/O選擇可以進(jìn)一步
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