用碳化硅解決方案推進(jìn)功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)節(jié)能減排

——飛兆半導(dǎo)體亞太區(qū)市場(chǎng)營(yíng)銷副總裁藍(lán)建銅解讀提供業(yè)界領(lǐng)先效率和更高可靠性的全球首款SiC雙極結(jié)型晶體管

為努力實(shí)現(xiàn)更高的功率密度并滿足嚴(yán)格的效率法規(guī)要求以及系統(tǒng)正常運(yùn)行時(shí)間要求，工業(yè)和功率電子設(shè)計(jì)人員在進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)面臨著不斷降低功率損耗和提高可靠性的難題。然而，在可再生能源、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、高密度電源、汽車以及井下作業(yè)等領(lǐng)域，要想增強(qiáng)這些關(guān)鍵設(shè)計(jì)性能，設(shè)計(jì)的復(fù)雜程度就會(huì)提高，同時(shí)還會(huì)導(dǎo)致總體系統(tǒng)成本提高。全球領(lǐng)先的高性能功率和移動(dòng)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司（Fairchild Semiconductor）首次推出的SiC雙極結(jié)型晶體管（BJT）產(chǎn)品組合即可在較高工作溫度下實(shí)現(xiàn)較低的總功率損耗。

飛兆半導(dǎo)體亞太區(qū)市場(chǎng)營(yíng)銷副總裁藍(lán)建銅在發(fā)布這些產(chǎn)品時(shí)表示，全球推動(dòng)提高能效已成為功率半導(dǎo)體持續(xù)的增長(zhǎng)催化劑，特別是整個(gè)電網(wǎng)的能效都要求有較大的提高。為幫助設(shè)計(jì)人員解決這些難題，新款器件非常適合功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的碳化硅（SiC）技術(shù)解決方案，進(jìn)而拓展了公司在創(chuàng)新型高性能功率晶體管技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

PV逆變器、工業(yè)驅(qū)動(dòng)器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、UPS、風(fēng)能、EV和HEV，以及井下、地?zé)岷蜕逃煤娇斩伎墒褂肧iC雙極結(jié)型晶體管

用新材料打造提高能效的技術(shù)解決方案

藍(lán)建銅說(shuō)，提高能效的技術(shù)解決方案有助于實(shí)現(xiàn)高能效應(yīng)用，如運(yùn)動(dòng)控制、HEV/EV和可再生能源，而SiC等新材料的使用將有力地推動(dòng)這一進(jìn)程。據(jù)預(yù)測(cè)，到2015年，由于技術(shù)逐漸成熟，碳化硅市場(chǎng)有望出現(xiàn)較快的增長(zhǎng)。

碳化硅有諸多屬性，如寬帶隙（硅的3倍）、高擊穿電場(chǎng)（硅的10倍）、高導(dǎo)熱率（硅的3倍）、高溫穩(wěn)定性（硅的3倍）。碳化硅在晶體管的優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在更高的效率（98%以上）、更小的器件（>300A/cm2）、速度更快的開(kāi)關(guān)能力（<20ns）和穩(wěn)固可靠（UIL、SCSOA）。

飛兆半導(dǎo)體利用碳化硅開(kāi)發(fā)的BJT解決方案具有更高的功率密度；在相同或更低損耗下采用較高的開(kāi)關(guān)頻率，能夠使用較小的電感、電容和散熱片器件；在提高輸出功率的同時(shí)可保持系統(tǒng)外形尺寸；更低的系統(tǒng)成本；•對(duì)于相同硬件，通過(guò)減少損耗和提高功率密度，可減小冷卻裝置或增加功率輸出。此外，這些器件易于使用，具有RON正溫度系數(shù)，可采用簡(jiǎn)單的基極直接驅(qū)動(dòng)方案，縮短上市時(shí)間，實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)便的系統(tǒng)移植。

飛兆半導(dǎo)體的SiC特性包括：經(jīng)過(guò)優(yōu)化的半標(biāo)準(zhǔn)化自定義技術(shù)解決方案，可充分利用自身較大的半導(dǎo)體器件與模塊封裝技術(shù)組合；憑借功能集成和設(shè)計(jì)支持資源簡(jiǎn)化工程設(shè)計(jì)難題的先進(jìn)技術(shù)，可在節(jié)約工程設(shè)計(jì)時(shí)間的同時(shí)較大限度地減少元器件數(shù)量；具有尺寸、成本和功率優(yōu)勢(shì)的較小型先進(jìn)封裝集成了領(lǐng)先的器件技術(shù)，可滿足器件制造商和芯片組供應(yīng)商的需求。

首批產(chǎn)品表現(xiàn)優(yōu)異

在飛兆半導(dǎo)體SiC組合中首先要發(fā)布的一批產(chǎn)品是先進(jìn)的SiC雙極結(jié)型晶體管系列，該系列產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn)較高的效率、電流密度和可靠性，并且能夠順利地進(jìn)行高溫工作。通過(guò)利用效率出色的晶體管，飛兆半導(dǎo)體的SiC BJT實(shí)現(xiàn)了更高的開(kāi)關(guān)頻率，這是因?yàn)閭鲗?dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗較低（30-50%），從而能夠在相同尺寸的系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)高達(dá)40%的輸出功率提升。

飛兆半導(dǎo)體SiC BJT具有業(yè)界領(lǐng)先性能

這些強(qiáng)健的BJT支持使用更小的電感、電容和散熱片，可將系統(tǒng)總體成本降低多達(dá)20%。這些業(yè)界領(lǐng)先的SiC BJT性能出眾，可促進(jìn)更高的效率和出色的短路及逆向偏壓安全工作區(qū)，將在高功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的功率管理優(yōu)化中發(fā)揮重大作用。

分立式驅(qū)動(dòng)器配合使用

飛兆半導(dǎo)體還開(kāi)發(fā)了即插即用的分立式驅(qū)動(dòng)器電路板（15A和50A版本），作為整套碳化硅解決方案的一部分，與飛兆半導(dǎo)體的先進(jìn)SiC BJT配合使用時(shí)，不僅能夠在減少開(kāi)關(guān)損耗和增強(qiáng)可靠性的條件下提高開(kāi)關(guān)速度，還使得設(shè)計(jì)人員能夠在實(shí)際應(yīng)用中輕松實(shí)施SiC技術(shù)。

SiC BJT基礎(chǔ)驅(qū)動(dòng)器板

飛兆半導(dǎo)體為縮短設(shè)計(jì)時(shí)間、加快上市速度，還提供了應(yīng)用指南和參考設(shè)計(jì)。應(yīng)用指南可供設(shè)計(jì)人員獲取SiC器件設(shè)計(jì)所必需的其他支持；參考設(shè)計(jì)有助于開(kāi)發(fā)出符合特定應(yīng)用需求的驅(qū)動(dòng)器電路板。

飛兆半導(dǎo)體的SiC BJT采用TO-247封裝；符合條件的客戶從現(xiàn)在起即可獲取工程設(shè)計(jì)樣品。

鞏固創(chuàng)新優(yōu)勢(shì)

藍(lán)建銅較后表示，飛兆半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域掌握的專業(yè)技術(shù)非常符合不斷發(fā)展的碳化硅市場(chǎng)狀況。公司的SiC產(chǎn)品組合將提供當(dāng)前競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手望塵莫及的速度、靈活性和總體性能優(yōu)勢(shì)。飛兆半導(dǎo)體致力于打造可幫助客戶實(shí)現(xiàn)成功的解決方案，通過(guò)不斷與客戶合作提供出色的多市場(chǎng)半導(dǎo)體產(chǎn)品，注重創(chuàng)新、服務(wù)和生產(chǎn)的卓越性。

SiC BJT驅(qū)動(dòng)器規(guī)劃圖

通過(guò)在產(chǎn)品組合中引入基于SiC技術(shù)的新產(chǎn)品成員，飛兆半導(dǎo)體進(jìn)一步鞏固了其在創(chuàng)新型高性能功率晶體管技術(shù)領(lǐng)域的產(chǎn)品領(lǐng)先地位。飛兆半導(dǎo)體SiC解決方案將幫助功率產(chǎn)品開(kāi)發(fā)人員獲得成功。

www.fairchildsemi.com。

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