飛兆半導(dǎo)體650V場(chǎng)截止IGBT 提高功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的效率和系統(tǒng)可靠性

太陽能功率逆變器、不間斷電源(UPS)以及焊接應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員面臨提高能效，滿足散熱法規(guī)，同時(shí)減少元件數(shù)目的挑戰(zhàn)。有鑒于此，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)了一系列針對(duì)光伏逆變器應(yīng)用的650V IGBT產(chǎn)品，幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)這一行業(yè)挑戰(zhàn)。要了解更多的信息及索取樣品，請(qǐng)?jiān)L問公司網(wǎng)頁：

http://www.fairchildsemi.com/pf/FG/FGA40N65SMD.html

http://www.fairchildsemi.com/pf/FG/FGA60N65SMD.html

飛兆半導(dǎo)體公司的場(chǎng)截止IGBT技術(shù)能夠讓設(shè)計(jì)人員開發(fā)出具有更高輸入電壓的高可靠系統(tǒng)設(shè)計(jì)，同時(shí)提供具有低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗的較佳性能。另外，650V IGBT具有大電流處理能力、正溫度系數(shù)、嚴(yán)格的參數(shù)分布，以及較寬的安全工作區(qū)等特點(diǎn)。

更高的擊穿電壓改善了寒冷環(huán)境溫度下的可靠性，隨著溫度的降低，IGBT和FRD阻斷電壓亦會(huì)下降，因而650V IGBT特別適合較冷氣候之下工作的太陽能光伏逆變器。仔細(xì)選擇IGBT和續(xù)流二極管是獲得較高效率的必要條件，650V IGBT提供了快速和軟恢復(fù)特性，能夠降低功率耗散，并減小開啟和關(guān)斷損耗。

特性和優(yōu)勢(shì)

·        具有更高的阻斷電壓能力，無需犧牲性能

·        具有正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)工作，可實(shí)現(xiàn)不發(fā)熱的嵌板應(yīng)用，防止系統(tǒng)過載

·        大電流容量，實(shí)現(xiàn)大功率DC/AC轉(zhuǎn)換

·        較高結(jié)溫：T_J=175^oC

·        低飽和壓降：I_c=40A / 60A額定電流下，V_CE(sat)= 1.9V(典型值)

·        高開關(guān)速度，可讓系統(tǒng)保持高效率

·        低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗

·        寬安全工作區(qū) – 允許更高的功率耗散

·        嚴(yán)格的參數(shù)分布

·        滿足RoHS要求

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