Vishay新一代超高精度Bulk Metal®箔電阻設(shè)定新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，并開啟電阻全新應(yīng)用領(lǐng)域
VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推出副基準(zhǔn)、密封充油的BulkMetal®箔電阻---H和HZ系列，在精度、穩(wěn)定性和速度上都設(shè)定了新的行業(yè)基準(zhǔn)。新的H和HZ系列具有0.001%(10ppm)的容差，5...2010年01月07日
Rayspan 超材料天線可減少手機(jī)輻射、加快測試進(jìn)程和縮短產(chǎn)品上市時間
全球唯一提供超材料無線空中接口（天線和射頻前端）技術(shù)的供應(yīng)商RayspanCorporation宣布，首款植入該公司超材料天線的蜂窩手機(jī)--新款LG巧克力手機(jī)(LGBL40)在歐洲一場針對潮流手機(jī)的SAR值（比吸收率）評...2010年01月06日
Vishay Siliconix較新推出的12V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET提供了業(yè)內(nèi)較低的導(dǎo)通電阻
VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推出新款12VP溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET---SiB455EDK。該器件采用熱增強(qiáng)的PowerPAK®SC-75封裝，占位面積為1.6mmx1.6mm，具有業(yè)內(nèi)P溝...2010年01月04日
Vishay Siliconix推出業(yè)界較小的60V 功率MOSFET
VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推出采用SOT-923封裝的60VN溝道功率MOSFET---SiM400。該器件為業(yè)界較小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封裝能節(jié)約更多的空間。SiM400是迄今為止...2009年12月30日
Vishay推出業(yè)界首款采用 PowerBridge封裝的單列直插橋式整流器
VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）今天宣布，推出新系列增強(qiáng)型高電流密度PowerBridgeTM整流器。整流器的額定電流高達(dá)30A~45A，較大峰值反向額定電壓為600V~1000V，外殼絕緣強(qiáng)度高達(dá)1500V。該系列...2009年12月28日
Vishay推出適用于線焊組裝的新PSC系列RF螺旋電感
VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推出用于線焊組裝的新系列RF螺旋電感器---VishayElectro-FilmsPSC系列電感器---具有低DCR、高Q值和寬感值范圍，提供RF等效電路模型，使得設(shè)計(jì)者可...2009年12月18日
Agilent HDMI CTS 1.4 測試解決方案贏得 Simplay Labs 訂單
安捷倫科技公司（NYSE：A）宣布，SimplayLabs有限公司選擇安捷倫作為其高清晰度多媒體接口（HDMI）測試解決方案提供商。SimplayLabs公司目前管理著全球八個HDMI授權(quán)測試中心（ATC）中的四個。安捷倫測試解決方...2009年12月11日
ANALOGIX Displayport發(fā)射器解決方案獲華映筆記本電腦面板生產(chǎn)線采用
ANALOGIXSemiconductorInc.宣布其DisplayPort發(fā)射器解決方案獲臺灣面板制造商中華映管(ChunghwaPictureTubes,CPT)采用，應(yīng)用于華映新一代筆記本電腦EmbeddedDisplayPort(eDP)面板生產(chǎn)線測試設(shè)備。ANALOGIX亞...2009年12月01日
Vishay Siliconix較新推出的P溝道功率MOSFET的導(dǎo)通電阻不僅為業(yè)內(nèi)較低，更將之前的較低紀(jì)錄減小了近50%之多
VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推出新款20VP溝道功率MOSFET---SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mmx2mm占位面積的熱增強(qiáng)PowerPAKSC-70®封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達(dá)到的較低導(dǎo)...2009年11月23日
Vishay擴(kuò)展其超高可靠性貼片電阻的阻值范圍
VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，擴(kuò)大了符合美軍標(biāo)MIL-PRF-55342認(rèn)證的EH貼片電阻。該系列電阻采用緊湊的2208、2010和2512外形尺寸。增強(qiáng)后的器件使高可靠性應(yīng)用能夠用上更低阻值的電阻，...2009年11月19日
Vishay推出業(yè)界較薄的1500W表面貼裝瞬間電壓抑制器
VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推出具有業(yè)內(nèi)1.1mm較薄厚度的新系列1500W表面貼裝TransZorb®瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)---SMPC系列。SMPC系列具有6.7V～42.4V的擊穿電壓和10.0V～58.1V的...2009年11月17日
Vishay 推出循環(huán)壽命長達(dá)兩百萬次的新款面板電位計(jì)
VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推出新款經(jīng)濟(jì)、長壽命的面板電位計(jì)---P11L，該電位計(jì)具有四種模塊和12.5mm的緊湊外形。標(biāo)準(zhǔn)的低成本面板電位計(jì)的循環(huán)壽命只有50000次，而Vishay的...2009年11月17日
引領(lǐng)創(chuàng)新，超越無限-NIDays 2009全球圖形化系統(tǒng)設(shè)計(jì)盛會中國站圓滿落幕
NIDays09主題演講美國國家儀器有限公司（NationalInstruments，簡稱NI）2009年度“NIDays全球圖形化系統(tǒng)設(shè)計(jì)盛會”中國站于10月28日在上海國際會議中心圓滿落幕。作為一個連續(xù)第十一年在中國地區(qū)舉辦的年度技術(shù)...2009年11月12日
Vishay推出一系列新型高可靠性鋁電解電容器
VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推出高容值、高紋波電流，并可在+105℃高溫下工作的徑向鋁電容器---142RHS系列。142RHS系列提供從5mmx11mm至18mmx40mm的15種外形尺寸，105℃...2009年11月10日
Vishay推出業(yè)界較小的芯片級MOSFET
日前，Vishay宣布推出兩款MICROFOOT功率MOSFET---Si8461DB和Si8465DB，較大尺寸為1mmx1mmx0.548mm，是迄今為止業(yè)界較小的芯片級功率MOSFET�！ ≡诜N類繁多的便攜式設(shè)備中，20V的P溝道Si8461DB和Si8...2009年11月09日
Vishay推出新款鉭外殼液鉭電容器136D
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出采用glass-to-tantalum新型密封的新系列鉭外殼液鉭電容器——136D。對于高可靠性應(yīng)用，136D器件可在-55℃～+85℃溫度范圍內(nèi)工作，在電壓降額的情況下可在+200℃下工作，在...2009年11月09日
Vishay發(fā)布業(yè)界首個系列超小型SMD紅外接收器
VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推出用于遙控系統(tǒng)的新款系列超小型SMD紅外接收器。該系列器件是業(yè)界首個采用兩個光敏二極管及專利技術(shù)內(nèi)部金屬EMI屏蔽的產(chǎn)品，超薄封裝的厚度僅為2.35mm...2009年11月06日
Vishay推出新款高速PIN光敏二極管
VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推出VBPW34x和VBP104x系列高速SMDPIN光敏二極管，新器件采用鷗翼和倒鷗翼型封裝，提供透明環(huán)氧樹脂封裝和具有日光阻斷濾波功能的版本。八款新器件針對煙...2009年11月05日
Vishay推出業(yè)界較小的芯片級MOSFET
VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推出兩款MICROFOOT功率MOSFET---Si8461DB和Si8465DB，較大尺寸為1mmx1mmx0.548mm，是迄今為止業(yè)界較小的芯片級功率MOSFET。在種類繁多的便攜...2009年11月05日
Vishay發(fā)布業(yè)界首個方形表面貼裝薄膜電阻網(wǎng)絡(luò)
VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)界首款方形精密薄膜表面貼裝電阻網(wǎng)絡(luò)---QFN系列器件。器件采用20腳的5mmx5mm方形扁平無引腳封裝，端子間距和厚度分別為0.65mm和1mm。與傳統(tǒng)的...2009年11月05日