Vishay推出業(yè)內(nèi)較小Lug安裝空間的NTC熱敏電阻
NTCALUG03系列具有小于4秒的較短響應(yīng)時(shí)間，能夠精確地測(cè)量表面溫度賓夕法尼亞、MALVERN—2011年3月22日—日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號(hào)：VSH）宣布，推出具有65mm2Am...2011年03月22日
Vishay推出新的T86系列固鉭貼片電容器
高可靠性COTSTANTAMOUNT®器件采用3種模壓外形尺寸，具有威布爾分級(jí)、低至0.25Ω的ESR選項(xiàng)和內(nèi)置熔絲賓夕法尼亞、MALVERN—2011年3月17日—日前，VishayIntertechnology,Inc.（...2011年03月17日
Vishay Siliconix的新款100V N溝道TrenchFET®功率MOSFET
器件采用新型ThunderFET®技術(shù)和SO-8DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中MOSFET性能的優(yōu)值系數(shù)(FOM)。SiR870DP在4.5V電壓下的7.8mΩ導(dǎo)通電阻是業(yè)內(nèi)較低的。這款MOSFET在10V電壓下的導(dǎo)通電阻也非常低，僅有6mΩ。對(duì)于設(shè)...2011年03月07日
Vishay推出超長(zhǎng)使用壽命的新款鋁電容器
104PHL-ST電容器在在+105℃下壽命長(zhǎng)達(dá)5000小時(shí)，紋波電流達(dá)34.8A，具有從6800μF、450V至33000μF、200V的高容值電壓組合。器件采用8mmM5高位接線柱或13mmM6低位接線柱。電容器符合RoHS指令2002EC，提供...2011年03月07日
Vishay Siliconix的雙芯片P溝道器件刷新業(yè)內(nèi)較低導(dǎo)通電阻紀(jì)錄
第三代TrenchFET®功率MOSFET在2mmx2mm占位面積內(nèi)及4.5V電壓下提供54mΩ超低導(dǎo)通電阻賓夕法尼亞、MALVERN—2011年3月2日—日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號(hào)：...2011年03月03日
Vishay的新款Power Metal Strip®儀表分流電阻在業(yè)內(nèi)首次實(shí)現(xiàn)直接PCB安裝
器件在2908尺寸封裝內(nèi)具有低至100μΩ的阻值和3W功率賓夕法尼亞、MALVERN—2011年2月24日—日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款PowerMetalStrip®儀表分流電阻...2011年02月24日
Vishay推出可滿足更低電壓需求的紅外接收器
具有業(yè)界較低的2V電壓、采用6種封裝形式、可將接收器的工作時(shí)間延長(zhǎng)至原先的5倍賓夕法尼亞、MALVERN—2011年2月22日—日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號(hào)：VSH）宣布，為其TSOP紅外系列...2011年02月23日
Wolfgang Mayrhuber當(dāng)選英飛凌新一屆監(jiān)事會(huì)主席
p.MsoNormal,li.MsoNormal,div.MsoNormalp.MsoHeader,li.MsoHeader,div.MsoHeaderp.MsoFooter,li.MsoFooter,div.MsoFooterp.InfineonRelease,li.InfineonRelease,div.InfineonReleasediv....2011年02月23日
Vishay官網(wǎng)新添3D電視主動(dòng)式眼鏡紅外接收器的視頻在線講座
VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號(hào)：VSH）宣布，已在其網(wǎng)站上添加了一個(gè)詳細(xì)介紹紅外接收器如何在3D電視主動(dòng)式快門眼鏡中工作的視頻在線講座。3D電視中的紅外接收器會(huì)接收來自3D電視機(jī)的同步信號(hào)，然...2011年02月21日
IDT 展示全球首款 touch-over-AUX DisplayPort™-based 觸摸屏技術(shù)
p.MsoNormal,li.MsoNormal,div.MsoNormala:link,span.MsoHyperlinka:visited,span.MsoHyperlinkFollowedp.p0,li.p0,div.p0div.Section1IDT混合信號(hào)完整系統(tǒng)解決方案演示利用Displa...2011年02月12日
Vishay發(fā)布具有極高輻射強(qiáng)度的新款紅外發(fā)射器
VSLY5850具有600mWsr的輻射強(qiáng)度、55mW的光功率和10ns的開關(guān)時(shí)間。VSLY5850所采用的表面發(fā)射器技術(shù)代表了一種特殊的硅片結(jié)構(gòu)，在這種結(jié)構(gòu)中，半導(dǎo)體內(nèi)產(chǎn)生的全部光線都會(huì)由芯片的頂側(cè)表面向外發(fā)射。這種結(jié)構(gòu)大大減少...2011年02月11日
IDT 展示全球首款 touch-over-AUX DisplayPort™-based 觸摸屏技術(shù)
IDT混合信號(hào)完整系統(tǒng)解決方案演示利用DisplayPort輔助通道傳輸觸摸屏數(shù)據(jù)到平板電腦、上網(wǎng)本和AiO設(shè)備的操作系統(tǒng)擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商IDT®公司（In...2011年02月09日
Vishay推出新款PHP系列精密高功率薄膜貼片電阻
器件具有±25ppm℃的絕對(duì)TCR，低至±0.1%的容差，在-55℃～+125℃的寬溫范圍內(nèi)具有1.0～2.5W的高功率等級(jí)。今天發(fā)布的這些器件采用性能穩(wěn)定的薄膜，在+70℃下工作2000小時(shí)后仍具有1000ppm的性能特征，為高精度醫(yī)...2011年01月27日
Vishay推出新款USB-OTG總線端口保護(hù)陣列
器件采用小尺寸LLP75-7L無引線封裝，具有低至0.7pF的典型電容和低至0.085µA的較大泄露電流，可在28V工作范圍內(nèi)提供VBUS保護(hù)賓夕法尼亞、MALVERN—2011年1月25日—日前，VishayIntertechnology,...2011年01月25日
Vishay Siliconix的TrenchFET®功率MOSFET具有業(yè)內(nèi)P溝道器件的較低導(dǎo)通電阻
采用PowerPAK®SC-70封裝的器件的導(dǎo)通電阻低至16mΩ，占位面積為2mmx2mm賓夕法尼亞、MALVERN—2011年1月24日—日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款8V...2011年01月24日
Vishay針對(duì)太陽能應(yīng)用發(fā)布4款肖特基整流器
p.MsoNormal,li.MsoNormal,div.MsoNormala:link,span.MsoHyperlinka:visited,span.MsoHyperlinkFollowedpp.SP,li.SP,div.SPdiv.Section1器件采用SMPC和軸向引線封裝，典型高度只有...2011年01月21日
Vishay發(fā)布超薄頂視外形的新系列微型紅外接收器
TSOP85…AP5器件具有4種AGC版本、高靈敏度和0.35mA的超低供電電流，具有±75°的寬角度及典型靈敏度為0.15mWm2～0.35mW9596/EC，并符合IEC61249-2-21規(guī)定的無鹵素規(guī)范。TSOP85…AP5接收器現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量...2011年01月10日
IDT推出全球首個(gè)DisplayPort™-to-Multi-Output-HDMI/DVI轉(zhuǎn)換器系列
小型自供電器件可利用多顯示器支持實(shí)現(xiàn)方便的適配器和嵌入式解決方案兼具模擬和數(shù)字優(yōu)勢(shì)技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商IDT®公司（IntegratedDeviceTechnology,Inc.;NASDAQ:IDTI）推出...2010年12月22日
Vishay榮獲菲律賓政府的高度評(píng)價(jià)和贊揚(yáng)
獲得由菲律賓總統(tǒng)辦公室與環(huán)境和自然資源部頒發(fā)的環(huán)境表現(xiàn)表彰證書，能源部頒發(fā)的能效和優(yōu)秀能源管理獎(jiǎng)，勞工部頒發(fā)的安全里程碑獎(jiǎng)。日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號(hào)：VSH）宣布，其在菲律賓首...2010年12月21日
Vishay推出具有優(yōu)異穩(wěn)定性的高精度金屬膜電阻
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