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打造電子應用第一門戶網(wǎng)
新型25V DirectFET芯片組
行業(yè)首批集成功率級器件
適用于汽車的MOSFET
MOSFET兼容協(xié)議
25V OptiMOS調(diào)壓MOSFET
領(lǐng)先業(yè)界的OptiMOSTM器件
推出工業(yè)功率模塊產(chǎn)品
第4代DIPIPMTM降低成本
攜HVIGBT模塊亮相PCIM展
WL-CSP 節(jié)省線路板空間
PWM控制器系列
應對DC-DC設計挑戰(zhàn)
本期主題:功率半導體產(chǎn)業(yè)的需求挑戰(zhàn)
新的環(huán)境政策特別重點關(guān)注全球可再生能源的發(fā)展,特別是風能和太陽能發(fā)電以及能源利用效率的提高。這兩個目標對電力電子...
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[產(chǎn)品資訊]
意法半導體(ST)推出業(yè)內(nèi)性價比最高的智能...
[產(chǎn)品資訊]
安森美半導體推出帶集成肖特基二極管的30...
[產(chǎn)品資訊]
全新隔離直流/直流轉(zhuǎn)換器開發(fā)工具可提高模
塊...
[產(chǎn)品資訊]
Vishay Siliconix將第三代P溝道TrenchFET技...
[產(chǎn)品資訊]
SiGe半導體推出業(yè)界首款基于硅技術(shù)的大功率...
[行業(yè)資訊]
富士通微電子聯(lián)合實驗室落戶武漢大學
[會議資訊]
Linear“面向工業(yè)應用的模擬電子設計”研討會
[站內(nèi)活動]
2010年可靠性技術(shù)與應用論壇中國行
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—— 訪TI電源拓展工程師吳濤:縮小DC/DC解決方案尺寸是大勢所趨...
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英飛凌在中國高速發(fā)展IGBT模塊市場
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功率器件引領(lǐng)移動便攜應用節(jié)能創(chuàng)新
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走過功率半導體發(fā)展 IR 從新出發(fā)
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不斷推陳出新 體現(xiàn)長期承諾
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利用功率半導體技術(shù)將效率提升到…
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全新功率半導體技術(shù)助力數(shù)據(jù)中心…
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完備的中等功率電源管理方案
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NexFETTM:新一代功率 MOSFET…
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R&S公司的WiMax功率放大器測試…
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功率器件:具備優(yōu)化特性的新一代…
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功率半導體:有助于實現(xiàn)節(jié)能的…
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采用第六代IGBT模塊增加壽命和降低成本
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兼具現(xiàn)代超結(jié)器件和傳統(tǒng)高壓MOSFET優(yōu)點…
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易用省時的電源模塊及設計工具
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適用于工業(yè)能源采集的技術(shù)
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DSP控制的功率因數(shù)校正(PFC)變換器原…
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汽車功率MOSFET解決更多設計挑戰(zhàn)
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功率半導體器件帶來品質(zhì)和可靠性
2010年第5期回顧
2010年第7期回顧
2010年第6期回顧
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